[发明专利]光电子集成基板及其制作方法、光电子集成电路

说明书

本申请提供一种光电子集成基板及其制作方法、光电子集成电路，光电子集成基板中的光学传感器采用第一光电二极管和第二光电二极管层叠设置的结构，且第一光电二极管和第二光电二极管至少部分交叠，第一光电二极管吸收的信号光的波长与第二光电二极管吸收的信号光的波长不同。本申请通过使两个光电二极管分别吸收不同波长的光信号，实现双通道通信，提高了通信速度，并且由于两个光电二极管互相交叠，也避免了额外增加像素面积，有利于显示功能的集成。

技术领域

本申请涉及光电技术领域，具体而言，本申请涉及一种光电子集成基板及其制作方法、光电子集成电路。

背景技术

可见光通信技术是使用可见光作为信息载体的通信技术。其具有低能耗、绿色低碳的优点。另外，由于是光通信技术，可有效避免传统无线电通讯电磁信号泄露的风险，保密性和可靠性较高。鉴于上述优点，可见光通信受到了人们越来越多的重视，其应用也日益广泛。

在可见光通信技术中，通常使用光电子集成基板将接收到的光信号转化为电信号。然而，现有的光电子集成基板存在通讯速度较慢，以及像素面积较大不利于显示集成的问题。

发明内容

本申请针对现有方式的缺点，提出一种光电子集成基板及其制作方法、光电子集成电路，用以解决现有技术中的光电子集成基板存在的通讯速度较慢，以及像素面积较大不利于显示集成的问题。

第一个方面，本申请实施例提供了一种光电子集成基板，包括：

衬底；

电子元件，位于所述衬底一侧；

光学传感器，位于所述衬底一侧，所述光学传感器与所述电子元件电连接，所述光学传感器包括层叠设置的第一光电二极管和第二光电二极管，所述第一光电二极管在所述衬底上的正投影和所述第二光电二极管在所述衬底上的正投影至少部分交叠，所述第一光电二极管吸收的信号光的波长与所述第二光电二极管吸收的信号光的波长不同。

可选地，所述第一光电二极管位于所述衬底一侧，所述第二光电二极管位于所述第一光电二极管远离所述衬底的一侧；

所述第一光电二极管包括第一吸收层，所述第二光电二极管包括第二吸收层；

所述第一吸收层在所述衬底上的正投影和所述第二吸收层在所述衬底上的正投影至少部分交叠，所述第一吸收层的材料与所述第二吸收层的材料不同。

可选地，所述电子元件包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括有源层；

所述第一吸收层包括同层设置的N型半导体层、本征半导体层和P型半导体层，所述第一吸收层与所述有源层同层设置，所述第二吸收层的材料包括氧化物半导体。

可选地，所述第二光电二极管包括与所述第二吸收层电连接的第二电极层，所述第二电极层与所述薄膜晶体管电连接，所述第二电极层的材料包括氧化铟锡。

可选地，所述第二光电二极管包括与所述第二吸收层电连接的第二电极层，所述第二电极层与所述薄膜晶体管电连接，所述第二电极层的材料包括金属；

所述第二电极层位于所述第二吸收层远离所述衬底的一侧，所述第二电极层在所述衬底上的正投影与所述第二吸收层在所述衬底上的正投影部分重叠；或，所述第二电极层位于所述第二吸收层靠近所述衬底的一侧，所述第二电极层在所述衬底上的正投影与所述第二吸收层在所述衬底上的正投影部分重叠。

可选地，所述电子元件包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括有源层；

所述第一吸收层包括同层设置的N型半导体层、本征半导体层和P型半导体层，所述第一吸收层与所述有源层同层设置，所述第二吸收层包括依次层叠设置的N型半导体层、本征半导体层和P型半导体层。