[发明专利]光电子集成基板及其制作方法、光电子集成电路

权利要求书

1.一种光电子集成基板，其特征在于，包括：

衬底；

电子元件，位于所述衬底一侧；

光学传感器，位于所述衬底一侧，所述光学传感器与所述电子元件电连接，所述光学传感器包括层叠设置的第一光电二极管和第二光电二极管，所述第一光电二极管在所述衬底上的正投影和所述第二光电二极管在所述衬底上的正投影至少部分交叠，所述第一光电二极管吸收的信号光的波长与所述第二光电二极管吸收的信号光的波长不同。

2.根据权利要求1所述的光电子集成基板，其特征在于，所述第一光电二极管位于所述衬底一侧，所述第二光电二极管位于所述第一光电二极管远离所述衬底的一侧；

所述第一光电二极管包括第一吸收层，所述第二光电二极管包括第二吸收层；

所述第一吸收层在所述衬底上的正投影和所述第二吸收层在所述衬底上的正投影至少部分交叠，所述第一吸收层的材料与所述第二吸收层的材料不同。

3.根据权利要求2所述的光电子集成基板，其特征在于，所述电子元件包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括有源层；

所述第一吸收层包括同层设置的N型半导体层、本征半导体层和P型半导体层，所述第一吸收层与所述有源层同层设置，所述第二吸收层的材料包括氧化物半导体。

4.根据权利要求3所述的光电子集成基板，其特征在于，所述第二光电二极管包括与所述第二吸收层电连接的第二电极层，所述第二电极层与所述薄膜晶体管电连接，所述第二电极层的材料包括氧化铟锡。

5.根据权利要求3所述的光电子集成基板，其特征在于，所述第二光电二极管包括与所述第二吸收层电连接的第二电极层，所述第二电极层与所述薄膜晶体管电连接，所述第二电极层的材料包括金属；

所述第二电极层位于所述第二吸收层远离所述衬底的一侧，所述第二电极层在所述衬底上的正投影与所述第二吸收层在所述衬底上的正投影部分重叠；或，所述第二电极层位于所述第二吸收层靠近所述衬底的一侧，所述第二电极层在所述衬底上的正投影与所述第二吸收层在所述衬底上的正投影部分重叠。

6.根据权利要求2所述的光电子集成基板，其特征在于，所述电子元件包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括有源层；

所述第一吸收层包括同层设置的N型半导体层、本征半导体层和P型半导体层，所述第一吸收层与所述有源层同层设置，所述第二吸收层包括依次层叠设置的N型半导体层、本征半导体层和P型半导体层。

7.根据权利要求6所述的光电子集成基板，其特征在于，所述第二光电二极管包括第二电极层，所述第二电极层与所述薄膜晶体管电连接，所述第二电极层与所述第二吸收层电连接，所述第二电极层的材料包括氧化铟锡，所述第二电极层位于所述第二吸收层靠近所述衬底的一侧。

8.根据权利要求2至7中任意一项所述的光电子集成基板，其特征在于，所述光电子集成基板还包括平坦化层，所述平坦化层位于所述第一光电二极管和所述第二光电二极管之间；

所述平坦化层在所述衬底上的正投影、所述第一吸收层在所述衬底上的正投影以及所述第二吸收层在所述衬底上的正投影至少部分交叠，所述平坦化层的材料包括彩色树脂材料。

9.根据权利要求2至7中任意一项所述的光电子集成基板，其特征在于，

所述第二吸收层在所述衬底上的正投影与所述第一吸收层在所述衬底上的正投影完全重叠。

10.一种光电子集成电路，其特征在于，包括如权利要求1至9中任意一项所述的光电子集成基板。