[发明专利]一种封装结构、相机和封装结构的制作方法在审
申请号: | 202111039051.1 | 申请日: | 2021-09-06 |
公开(公告)号: | CN113764451A | 公开(公告)日: | 2021-12-07 |
发明(设计)人: | 姚清志;蒋亮亮;温建新;叶红波;叶红磊 | 申请(专利权)人: | 上海集成电路研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L31/024;H05K1/02 |
代理公司: | 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 | 代理人: | 黄海霞 |
地址: | 201210 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 封装 结构 相机 制作方法 | ||
本发明提供了一种封装结构、相机和封装结构的制作方法,其中,该封装结构包括印刷电路板,印刷电路板包括第一表面和第二表面;贯穿印刷电路板的第一表面和第二表面的通孔;固定于该通孔的散热部件;涂敷于印刷电路板的第一表面的导电层;设置于导电层上侧的待封装芯片。该封装结构具有更好的散热效果。
技术领域
本发明涉及元器件制造技术领域,尤其涉及一种封装结构、相机和封装结构的制作方法。
背景技术
板上芯片(chip on board,COB)封装常见于互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor,CMOS)图像传感器(image sensor,CIS)的测试及应用上。COB类产品存在散热性能较差,产品性能受到温度的影响较大的问题,因此在产品设计过程中,需要提升产品的散热设计。
目前,芯片的散热途径为芯片工作产生的发热传导至与之相连的导电层(如铜箔),然后在传导至印刷电路板(printed circuit board,PCB)上。这时印刷电路板成为主要的热传导载体。考虑到印刷电路板的散热能力有限,已有技术还会通过增加过孔的方法来改善印刷电路板的散热性能。传统的散热方法对于发热量较小的芯片勉强可以,但对于大面阵CIS以及发热严重的芯片COB封装散热则力不从心,散热解决不好对CIS成像质量甚至整套系统产品都会产生重大的影响,因此亟需一种电路板散热方案可以提高散热效率,以满足大面阵CIS以及发热严重的芯片COB的散热要求。
发明内容
本发明的目的在于提供一种封装结构、相机和封装结构的制作方法,该封装结构具有更好的散热效果。
第一方面,本发明实施例提供一种封装结构,该结构包括印刷电路板,印刷电路板包括第一表面和第二表面;贯穿印刷电路板的第一表面和第二表面的通孔;固定于通孔的散热部件;涂敷于印刷电路板的第一表面的导电层;设置于导电层上侧的待封装芯片。
本发明封装结构的有益效果在于:本实施例中因印刷电路板中固定了散热部件,散热部件的传导热量的能力较好,所以可以快速地将待封装芯片产生的热量传导出去。例如,待封装芯片为CIS芯片时,该封装结构的散热效果较好,因此不会影响CIS成像质量。
在一种可能的设计中,该封装结构还包括:贯穿于印刷电路板的第一表面和第二表面、以及导电层的过孔;其中,导电层的接地端与印刷电路板的第二表面的接地端通过导线相连接。该结构可以在通过增加过孔的方法来改善印刷电路板的散热性能的基础上,再利用通孔来增强散热效果。
在一种可能的设计中,散热部件的底部凸出于印刷电路板的第二表面,散热部件通过导线连接至系统外壳或者散热片。该结构可以实现待封装芯片产生的热量被快速传导出去。
在一种可能的设计中,散热部件的底部凸出于印刷电路板的第二表面,散热部件的底部通过焊接的方式与印刷电路板的第二表面的接地端相连接,在该印刷电路板的第二表面涂敷导电层,使得散热部件的底部与涂敷于所述印刷电路板的第二表面的导电层处于相同水平高度。
在一种可能的设计中,通孔的形状为圆柱形,散热部件为铜柱,通孔的数量为一个或多个。
在一种可能的设计中,过孔的面积小于通孔的面积。
第二方面,本发明实施例还提供一种相机,该相机可以包括上述封装结构。
第三方面,本发明实施例还提供一种封装结构的制作方法,该方法包括:
在印刷电路板上电镀通孔,通孔贯穿印刷电路板的第一表面和第二表面;在印刷电路板的第一表面上涂敷导电层;将待封装芯片设置在导电层上,进行芯片打线;将散热部件固定于通孔。
在一种可能的设计中,该制作方法还包括:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的