[发明专利]MOSFET驱动保护电路和开关电源系统

权利要求书

1.一种MOSFET驱动保护电路，用于对功率管进行过载保护，其特征在于，包括：

电流变化率调整电路，连接于驱动信号接入端和功率管的控制极之间，用于限制驱动信号接入端与功率管的控制极之间的电流变化；其中，所述功率管的控制极用于接收驱动信号，以驱动功率管的导通和关断；

第一过电压保护电路，连接于功率管的控制极和功率管的第二极之间，用于使功率管的控制极与功率管的第二极之间的电压小于等于第一预设电压值；

第二过电压保护电路，连接于功率管的第一极和功率管的第二极之间，用于使功率管的第一极和功率管的第二极之间的电压小于等于第二预设电压值；

电流采样电路，用于对功率管的第二极上的电流进行采样，得到功率管输出电流，并将所述功率管输出电流输出至控制器，所述控制器用于响应于所述功率管输出电流，输出对应的驱动调整信号，所述驱动调整信号用于对驱动信号的大小进行调整。

2.如权利要求1所述的MOSFET驱动保护电路，其特征在于，所述电流变化率调整电路包括：

第一电阻，所述第一电阻连接于所述驱动信号接入端和功率管的控制极之间。

3.如权利要求1所述的MOSFET驱动保护电路，其特征在于，所述第一过电压保护电路包括：

第一稳压二极管，所述第一稳压二极管的阴极与功率管的控制极连接，所述第一稳压二极管的阳极与功率管的第二极连接。

4.如权利要求1所述的MOSFET驱动保护电路，其特征在于，所述第二过电压保护电路包括：

缓冲电路，所述缓冲电路连接于所述功率管的第一极和功率管的第二极之间，用于吸收所述功率管输出的尖峰电压；

第二稳压二极管，所述第二稳压二极管的阴极与功率管的第一极连接，第二稳压二极管的阳极与功率管的第二极连接。

5.如权利要求4所述的MOSFET驱动保护电路，其特征在于，所述缓冲电路包括：第一电容和第二电阻；

所述第一电容的一端与功率管的第一极连接，第一电容的另一端与第二电阻的一端连接，第二电阻的另一端与功率管的第二极连接。

6.如权利要求4所述的MOSFET驱动保护电路，其特征在于，所述第二稳压二极管为齐纳二极管。

7.如权利要求1所述的MOSFET驱动保护电路，其特征在于，所述电流采样电路包括：第三电阻、第四电阻、第五电阻和第二电容；

所述第三电阻的一端和第四电阻的一端均连接于功率管的第二极，所述第三电阻的另一端连接地，所述第四电阻的另一端连接第五电阻的一端、电流采样电路的输出端，第五电阻的另一端连接地，第二电容并联在第五电阻的两端。

8.如权利要求1所述的MOSFET驱动保护电路，其特征在于，所述功率管为NMOSFET管，所述功率管的第一极为NMOSFET管的漏极，功率管的第二极为NMOSFET管的源极，功率管的控制极为NMOSFET管的栅极。

9.一种开关电源系统，其特征在于，包括：

电源，用于输出直流电压；

连接于所述电源的功率管，用于将所述电源输出的直流电压转换为具有预设输出电压值的直流电压，并输出具有预设输出电压值的直流电压；

如权利要求1至8中任一项所述的MOSFET驱动保护电路，用于对功率管进行过载保护。

10.一种开关电源系统，其特征在于，包括：

电源，用于输出直流电压；

两个功率管，两个所述功率管均连接于电源，每个所述功率管均用于将所述电源输出的直流电压转换为具有预设输出电压值的直流电压，并输出具有预设输出电压值的直流电压；其中，两个所述功率管交错导通；

两个如权利要求1至8中任一项所述的MOSFET驱动保护电路，每个所述MOSFET驱动保护电路用于对一功率管进行过载保护；其中，所述MOSFET驱动保护电路与所述功率管一一对应。