[发明专利]半导体工艺设备及其控制方法

权利要求书

1.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括：工艺腔室、第一加热组件(300)、第一传感器(500)、第一控制模块和第二加热组件(800)，所述工艺腔室包括腔体(100)和承载座(200)，所述承载座(200)设置于所述腔体(100)内，用于承载晶圆(900)，所述第一传感器(500)用于检测所述晶圆(900)的曲翘度；

所述第一加热组件(300)和所述第二加热组件(800)沿轴向分别设置于所述腔体(100)的两侧，所述第二加热组件(800)用于从所述承载座(200)的第二侧对所述晶圆(900)加热，所述第一控制模块根据所述曲翘度控制所述第一加热组件(300)朝向所述承载座(200)的第一侧向所述晶圆(900)进行补偿加热，所述第一侧与所述第二侧相背分布。

2.根据权利要求1所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述第一加热组件(300)包括第一电磁线圈(310)和感应加热件(320)，所述感应加热件(320)设于所述腔体(100)的外侧，且与所述承载座(200)相对，所述第一电磁线圈(310)设于所述感应加热件(320)的背离所述腔体(100)的一侧，其中：

在所述第一电磁线圈(310)通电的情况下，所述感应加热件(320)在所述第一电磁线圈(310)产生的磁场中发热，以从所述第一侧向所述晶圆(900)加热。

3.根据权利要求2所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述第一控制模块分别与所述第一传感器(500)和所述第一电磁线圈(310)连接，所述第一控制模块根据所述曲翘度控制所述第一电磁线圈(310)的加热功率，以使所述第一侧和所述第二侧的温度差在第一预设温差范围内。

4.根据权利要求2所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述腔体(100)上具有透明区域(110)，所述感应加热件(320)设置于所述透明区域(110)上，且所述感应加热件(320)为透明件，所述透明区域(110)与所述承载座(200)相对设置；

所述半导体工艺设备还包括反射件(410)和驱动机构(420)，所述反射件(410)设于所述腔体(100)之外，且与所述透明区域(110)相对，所述驱动机构(420)用于驱动所述反射件(410)转动，所述反射件(410)用于反射投射于其上的热量，所述反射件(410)反射的热量用于通过所述感应加热件(320)和所述透明区域(110)从所述第一侧向所述晶圆(900)的沿所述承载座(200)径向方向进行加热。

5.根据权利要求4所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述反射件(410)为凸透镜。

6.根据权利要求4所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述承载座(200)设有多个承载部(210)，所述承载部(210)用于承载所述晶圆(900)，所述承载部(210)可旋转的设置于所述腔体(100)内，所述多个承载部(210)以所述承载座(200)的中心轴呈环形阵列，所述透明区域(110)为环状结构，所述透明区域(110)与所述承载部(210)相对设置，且覆盖所述多个承载部(210)，所述反射件(410)位于所述透明区域(110)的中心轴上。

7.根据权利要求6所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述承载部(210)为向所述承载座(200)内部凹陷形成的弧面凹槽，所述第一传感器(500)设置于所述弧面凹槽的底部中心位置处。

8.根据权利要求6所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述第一控制模块还根据所述曲翘度控制所述驱动机构(420)驱动所述反射件(410)转动，以使所述反射件(410)反射的热量从所述第一侧向所述晶圆(900)的沿所述承载座(200)径向方向进行加热，以使所述晶圆(900)的沿所述承载座(200)径向方向的温度差在第二预设温差范围内。