[发明专利]用于系统级封装设备的与铜柱连接的裸管芯智能桥

权利要求书

1.一种系统级封装设备，包括：

模制化合物中的半导体桥，所述半导体桥具有顶表面、底表面、第一侧和第二侧，所述半导体桥包括多个穿硅过孔，并且所述半导体桥包括逻辑单元；

与所述半导体桥的所述第一侧横向相邻的第一多个互连；

与所述半导体桥的所述第二侧横向相邻的第二多个互连；

电耦合到所述半导体桥的所述顶表面的第一IC器件，并且所述第一IC器件电耦合到所述第一多个互连；

电耦合到所述半导体桥的所述顶表面的第二IC器件，并且所述第二IC器件电耦合到所述第二多个互连；以及

在所述第一IC器件和所述第二IC器件之间并与所述第一IC器件和所述第二IC器件接触的封盖材料。

2.根据权利要求1所述的系统级封装设备，其中，所述封盖材料进一步在所述第一IC器件和所述第二IC器件之上。

3.根据权利要求1所述的系统级封装设备，其中，所述封盖材料进一步沿着所述第一IC器件的最外侧和所述第二IC器件的最外侧。

4.根据权利要求1所述的系统级封装设备，其中，所述封盖材料进一步在所述第一IC器件和所述第二IC器件之上，并且其中，所述封盖材料进一步沿着所述第一IC器件的最外侧和所述第二IC器件的最外侧。

5.根据权利要求1所述的系统级封装设备，其中，所述第一多个互连在第一互连封装中，并且所述第二多个互连在第二互连封装中。

6.根据权利要求1所述的系统级封装设备，其中，所述第一多个互连是第一多个过孔条，并且所述第二多个互连是第二多个过孔条。

7.根据权利要求1所述的系统级封装设备，其中，所述模制化合物在所述半导体桥的所述底表面上。

8.根据权利要求1所述的系统级封装设备，还包括：

电耦合到所述半导体桥的所述顶表面的第三IC器件，其中，所述第三IC器件在所述第一IC器件和所述第二IC器件之间。

9.根据权利要求8所述的系统级封装设备，其中，所述第三IC是无源器件。

10.根据权利要求1所述的系统级封装设备，其中，所述第一IC器件通过第一多个柱电耦合到所述半导体桥的所述顶表面并电耦合到所述第一多个互连，并且其中，所述第二IC器件通过第二多个柱电耦合到所述半导体桥的所述顶表面并电耦合到所述第二多个互连。

11.一种系统级封装设备，包括：

半导体桥，其具有顶表面、底表面、第一侧和第二侧，所述第二侧与所述第一侧相对，并且所述半导体桥包括多个穿硅过孔；

与所述半导体桥横向相邻的模制化合物，所述模制化合物与所述半导体桥的所述第一侧和所述第二侧直接接触；

与所述半导体桥的所述第一侧横向相邻的第一多个互连；

与所述半导体桥的所述第二侧横向相邻的第二多个互连；

电耦合到所述半导体桥的所述顶表面的第一IC器件，并且所述第一IC器件电耦合到所述第一多个互连；

电耦合到所述半导体桥的所述顶表面的第二IC器件，并且所述第二IC器件电耦合到所述第二多个互连；以及

在所述第一IC器件和所述第二IC器件之间并与所述第一IC器件和所述第二IC器件接触的封盖材料。

12.根据权利要求11所述的系统级封装设备，其中，所述第一多个互连与所述半导体桥的所述第一侧横向相邻并与所述半导体桥的所述第一侧间隔开，并且通过第一材料与所述半导体桥的所述第一侧分开。

13.根据权利要求12所述的系统级封装设备，其中，所述第二多个互连与所述半导体桥的所述第二侧横向相邻并与所述半导体桥的所述第二侧间隔开，并且通过第二材料与所述半导体桥的所述第二侧分开。