[发明专利]一种宽温高频磁性材料及其制备方法和应用

说明书

本发明公开了一种宽温高频磁性材料及其制备方法和应用。本发明的宽温高频磁性材料的组成包括七层包覆Fe₂O₃、SnO₂和ZrO₂，其制备方法包括以下步骤：1)制备单层包覆Fe₂O₃；2)制备ZnO‑NiO‑TiO₂‑Co₂O₃填充单层包覆Fe₂O₃；3)制备三层包覆Fe₂O₃；4)制备七层包覆Fe₂O₃；5)将七层包覆Fe₂O₃破碎后与SnO₂和ZrO₂混合进行球磨，干燥，即得宽温高频磁性材料。本发明的宽温高频磁性材料的晶粒尺寸细密均匀，使用频率可以达到3MHz以上，且高温下损耗较常规铁氧体可以降低15％以上，能够满足器件对高频化、大电流、高温下较大的温度区间低功耗的需求。

技术领域

本发明涉及磁性材料技术领域，具体涉及一种宽温高频磁性材料及其制备方法和应用。

背景技术

随着快速充电技术的飞速发展，手机充电头的输出功率已经从5W飙升至最高120W，频率也由100kHz跃升至高达3MHz，而随着输出功率的提升，器件的发热也更为严重，温度的稳定对于器件十分重要。高频大电流充电方案是常用的快速充电方案之一，而磁芯能否在高频、大电流、高温的条件下在较大的温度区间保持低功耗会直接决定手机充电头的性能好坏和安全性。

以上陈述仅仅是提供与本发明有关的背景信息，而不必然构成现有技术。

发明内容

本发明的目的之一在于提供一种可以满足器件对高频化、大电流、高温下较大的温度区间低功耗的需求的磁性材料。

本发明的目的之二在于提供一种上述磁性材料的制备方法。

本发明的目的之三在于提供一种上述磁性材料的应用。

本发明所采取的技术方案是：

一种宽温高频磁性材料，其组成包括七层包覆Fe₂O₃、SnO₂和ZrO₂，七层包覆Fe₂O₃的组成由内至外依次为Fe₂O₃内核、多孔MnO-Fe₂O₃层、ZnO层、第一SiO₂层、第二SiO₂层、Bi₂O₃层、SnO₂层和Nb₂O₅层，多孔MnO-Fe₂O₃层的孔洞内填充有ZnO、NiO、TiO₂和Co₂O₃。

优选的，所述七层包覆Fe₂O₃、SnO₂、ZrO₂的质量比为1:0.0001～0.001:0.0005～0.005。

优选的，所述Fe₂O₃内核的平均粒径为0.1μm～0.3μm。

优选的，所述第二SiO₂层的厚度为3nm～5nm。

优选的，所述Bi₂O₃层的厚度为0.5nm～1nm。

优选的，所述SnO₂层的厚度为1nm～2nm。