[发明专利]一种TFT基板、电子纸显示屏、显示设备及其制备方法在审
| 申请号: | 202110975514.9 | 申请日: | 2021-08-24 |
| 公开(公告)号: | CN113675222A | 公开(公告)日: | 2021-11-19 |
| 发明(设计)人: | 李挺;吴博;罗皓;汤春苗 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京华夏泰和知识产权代理有限公司 11662 | 代理人: | 吴雪 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 tft 基板 电子 显示屏 显示 设备 及其 制备 方法 | ||
本发明具体涉及一种TFT基板、电子纸显示屏、显示设备及其制备方法,该TFT基板包括:基板,所述基板上从下至上依次设置有栅极金属层、栅极绝缘层、有源层、源漏极层、第一绝缘层、第二绝缘层以及电极层,所述有源层沿纵向被分割为n个,n个所述有源层交错排布,每个所述有源层在横向方向上的边缘与所述源漏极层靠近沟道一侧的边缘之间分别具有第一交叠宽度a1和第二交叠宽度a2,所述第一交叠宽度a1大于所述第二交叠宽度a2,并且至少所述第一交叠宽度a1大于生产制程的偏移精度;采用本申请的设计可以有效增大交叠宽度,从而提高源漏极对有源层中载流子的控制能力,有效避免沟道漏电,进而有效降低显示端出现水波纹不良的概率。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种TFT基板、电子纸显示屏、显示设备及其制备方法。
背景技术
柔性电子纸,也叫数码纸。它是一种超薄、超轻的显示屏,即理解为像纸一样薄、柔软、可擦写的显示器;形像地说,电子纸是一张薄胶片,而在胶片上涂上的一层带电的物质,则是电子墨。这也可看作是一个薄薄的内嵌式遥控显示板;目前电子纸主要由两个铟锡金属氧化物(Indium Tin Oxides,简称ITO)电极层之间的电子墨水层中反射能力强的白色粒子来显示亮态,由吸收能力强的黑色粒子来显示暗态,因此,电子纸显示屏只要借助环境光源就可显示内容,完全不需要背光源。
柔性电子纸一种类似纸张的电子显示器,其兼有纸的优点(如视觉感观几乎完全和纸一样等),又可以像我们常见的液晶显示器一样不断转换刷新显示内容,并且比液晶显示器电子书省电得多。电子纸具有低功耗和可折叠弯曲功能,画面显示细腻和可视角度宽、相比其他显示技术,最大的优点是阳光下可视效果好,没有死角。
但是,目前柔性电子纸产品由于TFT基板中有源层在横向方向上的边缘,与源漏极层靠近沟道一侧的边缘之间的交叠宽度较小,从而导致源漏极不能充分对有源层中的载流子进行控制,进而导致沟道出现漏电,最终在柔性电子纸上出现宏观表现为水波纹状的显示不良现象。
发明内容
本申请的目的在于提供一种TFT基板、电子纸显示屏、显示设备及其制备方法,以解决现有技术中存在水波纹状显示不良的技术问题。
(一)技术方案
为实现上述目的,本发明第一方面提供了一种TFT基板,包括:基板,所述基板上从下至上依次设置有栅极金属层、栅极绝缘层、有源层、源漏极层、第一绝缘层、第二绝缘层以及电极层,所述有源层沿纵向被分割为n个,n个所述有源层交错排布,每个所述有源层在横向方向上的边缘与所述源漏极层靠近沟道一侧的边缘之间分别具有第一交叠宽度a1和第二交叠宽度a2,所述第一交叠宽度a1大于所述第二交叠宽度a2,并且至少所述第一交叠宽度a1大于生产制程的偏移精度。
作为本技术方案的可选方案之一,所述第一交叠宽度a1和所述第二交叠宽度a2均大于生产制程的偏移精度。
作为本技术方案的可选方案之一,所述第一交叠宽度a1的设置范围为2.6μm-3.5μm;所述第二交叠宽度a2的设置范围为2μm-2.5μm。
作为本技术方案的可选方案之一,每个所述有源层在横向方向上的边缘与所述源漏极层远离沟道一侧的边缘之间分别具有第一间距b1和第二间距b2,所述第二间距b2大于所述第一间距b1。
作为本技术方案的可选方案之一,所述第一间距b1的设置范围为1μm-2.5μm。
作为本技术方案的可选方案之一,每个所述有源层在纵向方向的宽度c设置范围为1-10μm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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