[发明专利]一种TFT基板、电子纸显示屏、显示设备及其制备方法在审
| 申请号: | 202110975514.9 | 申请日: | 2021-08-24 |
| 公开(公告)号: | CN113675222A | 公开(公告)日: | 2021-11-19 |
| 发明(设计)人: | 李挺;吴博;罗皓;汤春苗 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京华夏泰和知识产权代理有限公司 11662 | 代理人: | 吴雪 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 tft 基板 电子 显示屏 显示 设备 及其 制备 方法 | ||
1.一种TFT基板,其特征在于,包括:基板,所述基板上从下至上依次设置有栅极金属层、栅极绝缘层、有源层、源漏极层、第一绝缘层、第二绝缘层以及电极层,所述有源层沿纵向被分割为n个,n个所述有源层交错排布,每个所述有源层在横向方向上的边缘与所述源漏极层靠近沟道一侧的边缘之间分别具有第一交叠宽度a1和第二交叠宽度a2,所述第一交叠宽度a1大于所述第二交叠宽度a2,并且至少所述第一交叠宽度a1大于生产制程的偏移精度。
2.根据权利要求1所述的TFT基板,其特征在于,所述第一交叠宽度a1和所述第二交叠宽度a2均大于生产制程的偏移精度。
3.根据权利要求1所述的TFT基板,其特征在于,所述第一交叠宽度a1的设置范围为2.6μm-3.5μm;所述第二交叠宽度a2的设置范围为2μm-2.5μm。
4.根据权利要求3所述的TFT基板,其特征在于,每个所述有源层在横向方向上的边缘与所述源漏极层远离沟道一侧的边缘之间分别具有第一间距b1和第二间距b2,所述第二间距b2大于所述第一间距b1。
5.根据权利要求4所述的TFT基板,其特征在于,所述第一间距b1的设置范围为1μm-2.5μm。
6.根据权利要求1所述的TFT基板,其特征在于,每个所述有源层在纵向方向的宽度c设置范围为1-10μm。
7.一种TFT基板的制备方法,其特征在于,所述方法包括:
提供一个基板;
在所述基板上从下至上依次图案化形成栅极金属层和栅极绝缘层;
在所述栅极绝缘层上沿纵向图案化形成n个有源层,n个所述有源层交错排布;
n个所述有源层的外侧图案化形成源漏极层以及沟道;
所述源漏极层的外侧从下至上依次图案化形成第一绝缘层、第二绝缘层以及电极层;
其中,所述源漏极层靠近沟道一侧的边缘与每个所述有源层在横向方向上的边缘分别具有第一交叠宽度a1和第二交叠宽度a2,所述第一交叠宽度a1大于所述第二交叠宽度a2,并且至少所述第一交叠宽度a1大于生产制程的偏移精度。
8.根据权利要求7所述的TFT基板的制备方法,其特征在于,所述在所述栅极绝缘层上沿纵向方向图案化形成n个有源层,n个所述有源层交错排布的步骤中,所述方法具体包括:
在所述栅极绝缘层上沿纵向涂覆一层金属氧化物;
在所述金属氧化物外侧涂覆n个作为掩膜的第一PR层;
对不需要的部分进行全曝光显影以及刻蚀,并去除残留所述第一PR层,以形成n个交错排布的有源层。
9.根据权利要求7所述的TFT基板的制备方法,其特征在于,所述n个所述有源层的外侧图案化形成源漏极层以及沟道的步骤中,所述方法具体包括:
在n个所述有源层的外侧涂覆一层金属材料;
在所述金属材料外侧涂覆有作为掩膜的第二PR层;
对待开设沟槽的位置进行全曝光显影以及刻蚀,并去除残留所述第二PR层,以形成源漏极层以及沟道。
10.一种电子纸显示屏,其特征在于,包括:如权利要求1-6中任一项所述的TFT基板。
11.一种显示设备,其特征在于,包括:如权利要求10所述的电子纸显示屏。
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





