[发明专利]半导体装置

说明书

本发明提供能够提高特性的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包含第一电极、第二电极、第三电极、第一导电部件及第一绝缘部件。从第一电极向第二电极的方向沿着第一方向。第一绝缘部件包含第一位置、第二位置及第三位置。从第一导电部件端部向第一位置的方向沿着第二方向。第一位置在第一方向上位于第一电极与第二位置之间。第三位置在第一方向上位于第一位置与第二位置之间。第一元素包含从由氢、氦、氩和碳构成的组中选择的至少1种。第三位置处的第一元素的第三浓度高于第一位置处的第一元素的第一浓度，且高于第二位置处的第一元素的第二浓度。

本申请以日本专利申请2021-036912(申请日2021年3月9日)为基础，从该申请享有优先的利益。本申请通过参照该申请，包含该申请的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及半导体装置。

背景技术

例如，在晶体管等半导体装置中，期望特性的提高。

发明内容

本发明的实施方式提供一种能够提高特性的半导体装置。

根据本发明的实施方式，半导体装置包含第一电极、第二电极、第三电极、第一导电部件、半导体部件以及第一绝缘部件。从所述第一电极向所述第二电极的方向沿着第一方向。所述第一导电部件包含第一导电部件端部及第一导电部件其他端部。所述第一导电部件端部在所述第一方向上位于所述第一电极与所述第一导电部件其他端部之间。所述第一导电部件端部的所述第一方向上的位置位于所述第一电极的所述第一方向上的位置与所述第三电极的所述第一方向上的位置之间。所述第一导电部件与所述第二电极及所述第三电极中的一方电连接。或者，所述第一导电部件能够与所述一方电连接。所述半导体部件包含第一导电型的第一半导体区域、第二导电型的第二半导体区域、及所述第一导电型的第三半导体区域。所述第一半导体区域包含第一部分区域及第二部分区域。所述第一部分区域在所述第一方向上位于所述第一电极与所述第二电极之间。所述第二半导体区域在所述第一方向上位于所述第一部分区域与所述第三半导体区域之间。所述第三半导体区域与所述第二电极电连接。从所述第三电极的一部分向所述第二半导体区域的第二方向与所述第一方向交叉。从所述第三电极的其他的一部分向所述第一部分区域的一部分的方向沿着所述第二方向。从所述第二部分区域向所述第一导电部件的方向沿着所述第一方向。从所述第一导电部件向所述第一部分区域的方向沿着所述第二方向。所述第一绝缘部件的至少一部分位于所述半导体部件与所述第三电极之间、以及所述半导体部件与所述第一导电部件之间。所述第一绝缘部件的至少一部分包含硅、氧及第一元素。所述第一元素包含从由氢、氦、氩和碳构成的组中选择的至少1种。所述第一绝缘部件包含第一位置、第二位置及第三位置。从所述第一导电部件端部向所述第一位置的方向沿着所述第二方向。所述第一位置在所述第一方向上位于所述第一电极与所述第二位置之间。所述第三位置在所述第一方向上位于所述第一位置与所述第二位置之间。所述第三位置处的所述第一元素的第三浓度比所述第一位置处的所述第一元素的第一浓度高，比所述第二位置处的所述第一元素的第二浓度高。

根据上述结构的半导体装置，能够提供能够提高特性的半导体装置。

附图说明

图1是例示第一实施方式的半导体装置的示意性剖视图。

图2是例示第一实施方式的半导体装置的示意性剖视图。

图3是例示第一实施方式的半导体装置的曲线图。

图4的(a)及图4的(b)是例示半导体装置的特性的曲线图。

图5是例示第一实施方式的半导体装置的曲线图。

图6是例示第二实施方式的半导体装置的示意性剖视图。

附图标记说明