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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202210069128.8在审
发明人：小林勇介;清水达雄;井口智明;雁木比吕;根本宏树 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供能够提高特性的半导体装置及其制造方法。根据实施方式，半导体装置包括第1～第3电极、第1导电构件半导体构件以及第1绝缘构件。第1绝缘构件包括第1～第3位置。第1绝缘构件在第3位置处包含第1元素，该第1元素包括从包括氮、铝、铪以及锆的群选择的至少一个元素。第1绝缘构件在第1位置以及第2位置处不包含第1元素。或者，第1位置处的第1元素的浓度以及第2位置处的第1元素的浓度分别比第3位置处的第1元素的浓度低。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN202210137348.X在审
发明人：雁木比吕;田口安则;井口智明;小林勇介;根本宏树 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2022-02-15 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：实施方式的半导体装置具有：第一电极；第二电极；包含第一半导体区域、第二半导体区域以及第三半导体区域在内的半导体层；第三电极；第一绝缘区域；第二绝缘区域；第四电极，具有包含第一部分、第二部分以及第三部分在内的在第一方向上连续的多个部分，第一部分的第二方向上的宽度为第一宽度，第二部分在第一方向上位于比所述第一部分靠所述第二电极侧，所述第二方向上的宽度为比所述第一宽度小的第二宽度，第三部分与所述第二部分邻接，在所述第一方向上位于比所述第二部分靠所述第二电极侧，所述第二方向上的宽度为比所述第二宽度大的第三宽度；以及第三绝缘区域。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202110953890.8在审
发明人：小林勇介;井口智明;雁木比吕;根本宏树;牛流章弘;下条亮平;可知刚;西胁达也 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2021-08-19 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供能够提高特性的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包含第一电极、第二电极、第三电极、第一导电部件及第一绝缘部件。从第一电极向第二电极的方向沿着第一方向。第一绝缘部件包含第一位置、第二位置及第三位置。从第一导电部件端部向第一位置的方向沿着第二方向。第一位置在第一方向上位于第一电极与第二位置之间。第三位置在第一方向上位于第一位置与第二位置之间。第一元素包含从由氢、氦、氩和碳构成的组中选择的至少1种。第三位置处的第一元素的第三浓度高于第一位置处的第一元素的第一浓度，且高于第二位置处的第一元素的第二浓度。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202110946304.7在审
发明人：雁木比吕;井口智明;小林勇介;根本宏树 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2021-08-18 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：提供一种半导体装置，能够提高特性。根据实施方式，半导体装置包括第1～第3电极、第1、第2导电部件、半导体部件以及第1绝缘部件。所述第1导电部件与所述第2电极电连接。或者，所述第1导电部件能够与所述第2电极电连接。所述第2导电部件从所述第2电极以及所述第3电极电绝缘。
半导体装置

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