[发明专利]半导体制程装置的再循环系统在审
申请号: | 202110891324.9 | 申请日: | 2021-08-04 |
公开(公告)号: | CN115706026A | 公开(公告)日: | 2023-02-17 |
发明(设计)人: | 刘家宽 | 申请(专利权)人: | 巨臣科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B08B3/02;B08B3/14 |
代理公司: | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人: | 孙皓晨 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 再循环 系统 | ||
本发明提供一种半导体制程装置的再循环系统,包括一半导体制程装置;以及一制程流体再循环系统,其包括一过滤组件,一储存槽,一加热器,以及一温控器,设置于所述加热器之后。
技术领域
本发明有关于一种半导体制程装置的再循环系统,尤其是一种湿制程装置的制程流体再循环系统。
背景技术
在半导体与电子厂的制程中,经常大量使用化学药剂,其中化学药剂通常用于涂布于晶圆表面、浸泡晶圆或清洗晶圆的半导体制程。尤其在晶圆清洗处理时,需使用大量的化学药剂,然而,使用后的化学药剂因含有杂质与脏污而难以回收使用,只能将其废弃。当晶圆产量愈多,所需使用的化学药剂也愈多,其成本也随之提高。甚至,使用过的化学药剂若没有回收再利用,或是经过完善的处理及排放程序,更会对环境造成污染。
发明内容
因此,为了克服昔知技术的不足之处,本发明提供一种半导体制程装置的再循环系统,包括一半导体制程装置,以及一制程流体再循环系统。所述半导体制程装置具有至少一个盆罩与至少一个沟槽,当流体经由喷洒头喷洒于置于旋转台面的晶圆后,利用盆罩与所述旋转台面的高低落差,进而使接触晶圆后的流体经旋转带动而流入指定的沟槽。所述制程流体再循环系统包括一过滤组件,一储存槽,一加热器,以及一温控器。在所述沟槽的流体经由管路流经所述过滤组件,储存槽,加热器,以及一温控器等再循环系统而回收。使用过的流体其纯度在不同时间所受影响不同,将一制程不同时段的流体导入不同的沟槽,再依其回收率做相应的回收处理,故可降低使用流体所需花费的成本。
基于前述目的,本发明提供一种用于半导体湿制程工艺之半导体制程装置的再循环系统,包括,一半导体制程装置,以及一制程流体再循环系统。所述半导体制程装置包括:一旋转台座,用以支撑一晶圆,并带动所述晶圆旋转;一喷洒头,用以喷洒流体于所述晶圆上;一第一盆罩,具有一第一开口;一第二盆罩,具有一第二开口;一第一沟槽,设置于所述第一盆罩与所述第二盆罩之间;以及一第二沟槽,设置于第二盆罩与旋转台座之间;其中,所述旋转台座包括:一台面,用以支撑所述晶圆;以及一旋转装置,设置于所述台面下方,用以旋转所述台面。所述再循环系统包括:一过滤组件,具有至少一过滤器;一储存槽;一加热器,以及一温控器。
当所述第一开口位置高于所述台面,及所述第二开口位置低于所述台面时,喷洒于所述晶圆上之流体经旋转带动而流入所述第一沟槽。当所述第一开口位置以及所述第二开口位置均高于所述台面时,甚或两开口位置相重叠密合时,喷洒于所述晶圆上之流体经旋转带动而流入所述第二沟槽。
因此,利用所述第一盆罩与所述第二盆罩的升降,喷洒于所述晶圆上的流体经旋转带动后可选择性的流入所述第一沟槽或所述第二沟槽。
所述制程流体再循环系统包括一过滤组件,一储存槽,一加热器,以及一温控器。流入所述沟槽的流体进一过滤组件过滤后,流到一储存槽,再流到一加热器以将流体加热到制程所需的温度,加热后的流体接著流进一温控器,并控制流体是否送到喷洒头。本发明一实施例提供的半导体制程装置可以节省制程所使用的流体,因为节省制程所用流体的使用量,故在湿制程工艺有需求的各种市场(例如半导体、面板等制程)具有优势。
为让本发明的上述和其他目的、特征及优点能更明显易懂,配合附图详细说明如下。
附图说明
图1是本发明一实施例的半导体制程装置的剖面图。
图2是本发明一实施例的半导体制程装置的立体示意图。
图3是本发明一实施例的半导体制程装置的剖面图。
图4是本发明一实施例的半导体制程装置的再循环系统的示意图。
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