[发明专利]半导体制程装置的再循环系统在审
申请号: | 202110891324.9 | 申请日: | 2021-08-04 |
公开(公告)号: | CN115706026A | 公开(公告)日: | 2023-02-17 |
发明(设计)人: | 刘家宽 | 申请(专利权)人: | 巨臣科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B08B3/02;B08B3/14 |
代理公司: | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人: | 孙皓晨 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 再循环 系统 | ||
1.一种半导体制程装置的再循环系统,包括:
一半导体制程装置,具有一沟槽,及一流体导管;以及
一制程流体再循环系统;
其中,所述制程流体再循环系统包括:
一过滤组件,耦接至该半导体制程装置的该沟槽;
一储存槽,耦接至该过滤组件;
一加热器,耦接至该储存槽;以及
一温控器,具有一输入端,一输出端,该输入端耦接至该加热器,该输出端耦接至该半导体制程装置的该流体导管;
其中,流体经所述沟槽流入所述制程流体再循环系统,再流回该流体导管。
2.如权利要求1所述的半导体制程装置的再循环系统,其中该温控器和该加热器的距离小于一公尺。
3.如权利要求1所述的半导体制程装置的再循环系统,
其中,该过滤组件具有一输入端,一输出端,该输入端耦接至该半导体制程装置的该沟槽;
其中,该储存槽具有一输入端,一输出端,该输入端耦接至该过滤组件的输出端;以及
其中,该加热器具有一输入端,一输出端,该输入端耦接至该储存槽的输出端,该输出端耦接至该温控器的输入端。
4.如权利要求1所述的半导体制程装置的再循环系统,
其中,该储存槽具有一回送端;以及
其中,该温控器具有一回送端,该回送端耦接至该储存槽的回送端。
5.如权利要求4所述的半导体制程装置的再循环系统,其中,该温控器具有一温度传感器,当该温度传感器所测得温度小于一特定温度时,所述流体由该温控器的回送端经该储存槽的回送端流回储存槽以再次加热,当该温度传感器所测得温度已达到该特定温度时,所述流体由该温控器的输出端经管路流至该半导体制程装置的流体导管。
6.如权利要求5所述的半导体制程装置的再循环系统,其中所述流体是经由磁浮帮浦推动而在所述管路及所述流体导管中流动。
7.如权利要求1所述的半导体制程装置的再循环系统,更包括:
一暂存槽,具有一输入端,一输出端,该输入端耦接至该半导体制程装置的该沟槽,该输出端耦接至该过滤组件。
8.如权利要求1至7中任一项所述的半导体制程装置的再循环系统,其中该加热器具有一温度传感器,当该温度传感器所测得温度大于一特定温度时,该加热器不启动加热功能。
9.如权利要求1至6中任一项所述的半导体制程装置的再循环系统,其中所述半导体制程装置更包括:
一旋转台座,用以支撑一晶圆,并带动所述晶圆旋转;
一喷洒头,用以喷洒流体于所述晶圆上;以及
至少一个盆罩,设置于所述旋转台座外侧,其具有一开口。
10.如权利要求9所述的半导体制程装置的再循环系统,其中所述沟槽设置于所述旋转台座与所述盆罩之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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