[发明专利]边缘进气组件及半导体工艺设备

说明书

本发明提供一种边缘进气组件，用于设置于工艺腔室的顶部开口上，自工艺腔室的边缘向工艺腔室内通入工艺气体，边缘进气组件包括：上环盖、中环盖、下环盖和进气管路，上环盖、中环盖和下环盖叠置于工艺腔室上，上环盖上设有至少一个进气孔，进气孔通过进气管路引入工艺气体；下环盖的内环壁上环绕设有多个喷气孔，喷气孔用于向工艺腔室内喷出工艺气体；上环盖和中环盖之间形成有至少一组匀气组合气道，每组匀气组合气道分别与一个进气孔和多个喷气孔连通，通过匀气组合气道将进气孔引入的工艺气体从多个喷气孔中排出。本发明提供的边缘进气组件能够在保证进气均匀性的同时，提高进气结构整体稳定性及维护性能。本发明还提供一种半导体工艺设备。

技术领域

本发明涉及半导体工艺设备领域，具体地，涉及一种半导体工艺设备的边缘进气组件和一种半导体工艺设备。

背景技术

电感耦合等离子体(Inductive Coupled Plasma，ICP)刻蚀机广泛应用于集成电路(integrated circuit，IC)和半导体制程中，在等离子体刻蚀机的工艺腔室中，腔室的进气路径分为中心进气和边缘进气，不同的工艺气体分别通过中心进气和边缘进气路径注入到高真空状态的工艺腔室内并进行混合，再向工艺腔室上部的电极加载高频电源，以对腔室内混合的工艺气体进行电离形成等离子体，进而对承载盘上暴露在等离子体环境下的晶圆(Wafer)表面进行刻蚀工艺。

在半导体工艺中，工艺腔室中气体流场分布的均匀性及稳定性对晶圆(Wafer)表面的刻蚀均匀性具有十分重要的影响。因此，为提高气体由边缘进气路径向晶圆四周提供工艺气体的周向速率均匀性，通常在工艺腔室的上盖中加工出用于对工艺气体进行分流的分流通道，工艺气体由分流通道的进气孔进入分流通道中，并由分流通道在上盖上形成的沿周向均匀分布的多个出气口进入工艺腔室中。然而，现有的加工有分流通道的上盖常容易出现漏气、进气均匀性差等问题，且结构维护困难、使用寿命短。因此，如何提供一种能够在保证进气均匀性的同时提高结构整体稳定性及维护性能的边缘进气结构，成为本领域亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明旨在提供一种半导体工艺设备的边缘进气组件和一种半导体工艺设备，该边缘进气组件能够在保证进气均匀性的同时提高进气结构整体稳定性及维护性能。

为实现上述目的，作为本发明的一个方面，提供一种边缘进气组件，用于设置于工艺腔室的顶部开口上，自所述工艺腔室的边缘向所述工艺腔室内通入工艺气体，所述边缘进气组件包括：上环盖、中环盖、下环盖和进气管路，所述上环盖、所述中环盖和所述下环盖叠置于所述工艺腔室上，所述上环盖上设有至少一个进气孔，所述进气孔通过所述进气管路引入所述工艺气体；所述下环盖的内环壁上环绕设有多个喷气孔，所述喷气孔用于向所述工艺腔室内喷出所述工艺气体；

所述上环盖和所述中环盖之间形成有至少一组匀气组合气道，每组所述匀气组合气道分别与一个进气孔和多个所述喷气孔连通，通过所述匀气组合气道将所述进气孔引入的所述工艺气体从多个所述喷气孔中排出。

可选地，每组所述匀气组合气道包括：

位于所述上环盖和所述中环盖之间的第一导流槽和多个第二导流槽，所述第一导流槽的进气端与所述进气孔连通，所述第一导流槽具有至少两个排气端，所述第一导流槽的每个排气端对应连接一个所述第二导流槽的进气端，所述第二导流槽用于对流入所述第二导流槽内的气体再次进行分流；

每个所述第二导流槽具有至少两个排气端，所述第二导流槽的排气端与所述喷气孔连通。

可选地，所述上环盖的底面上形成有所述第一导流槽，所述中环盖的顶面上形成有多个第二导流槽，所述中环盖中形成有与多个所述第二导流槽一一对应的多个中盖通孔，所述中盖通孔由对应的所述第二导流槽的底部贯穿至所述中环盖的底面，且所述第二导流槽通过所述中盖通孔与所述喷气孔连通。