[发明专利]边缘进气组件及半导体工艺设备在审
申请号: | 202110863756.9 | 申请日: | 2021-07-29 |
公开(公告)号: | CN115692146A | 公开(公告)日: | 2023-02-03 |
发明(设计)人: | 王志伟 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01J37/305 | 分类号: | H01J37/305;H01J37/32;H01L21/3065 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;王婷 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 边缘 组件 半导体 工艺设备 | ||
1.一种边缘进气组件,用于设置于工艺腔室的顶部开口上,自所述工艺腔室的边缘向所述工艺腔室内通入工艺气体,其特征在于,所述边缘进气组件包括:上环盖、中环盖、下环盖和进气管路,所述上环盖、所述中环盖和所述下环盖叠置于所述工艺腔室上,所述上环盖上设有至少一个进气孔,所述进气孔通过所述进气管路引入所述工艺气体;所述下环盖的内环壁上环绕设有多个喷气孔,所述喷气孔用于向所述工艺腔室内喷出所述工艺气体;
所述上环盖和所述中环盖之间形成有至少一组匀气组合气道,每组所述匀气组合气道分别与一个进气孔和多个所述喷气孔连通,通过所述匀气组合气道将所述进气孔引入的所述工艺气体从多个所述喷气孔中排出。
2.根据权利要求1所述的边缘进气组件,其特征在于,每组所述匀气组合气道包括:
位于所述上环盖和所述中环盖之间的第一导流槽和多个第二导流槽,所述第一导流槽的进气端与所述进气孔连通,所述第一导流槽具有至少两个排气端,所述第一导流槽的每个排气端对应连接一个所述第二导流槽的进气端,所述第二导流槽用于对流入所述第二导流槽内的气体再次进行分流;
每个所述第二导流槽具有至少两个排气端,所述第二导流槽的排气端与所述喷气孔连通。
3.根据权利要求2所述的边缘进气组件,其特征在于,所述上环盖的底面上形成有所述第一导流槽,所述中环盖的顶面上形成有多个所述第二导流槽,所述中环盖中形成有与多个所述第二导流槽一一对应的多个中盖通孔,所述中盖通孔由对应的所述第二导流槽的底部贯穿至所述中环盖的底面,且所述第二导流槽通过所述中盖通孔与所述喷气孔连通。
4.根据权利要求3所述的边缘进气组件,其特征在于,所述第一导流槽包括多级沿周向延伸的上弧形槽,同一级所述上弧形槽之间周向间隔设置且长度一致,不同级所述上弧形槽之间径向错开,第一级所述上弧形槽在中点位置与所述进气孔连通,在最后一级以外的所述上弧形槽中,每条所述上弧形槽的两端分别与下一级的两条所述上弧形槽的中点位置连通,最后一级所述上弧形槽的两端与所述第二导流槽连通。
5.根据权利要求4所述的边缘进气组件,其特征在于,所述第二导流槽包括多级沿周向延伸的下弧形槽,同一级所述下弧形槽之间周向间隔设置且长度一致,不同级所述下弧形槽之间径向错开,第一级所述下弧形槽在中点位置与最后一级所述上弧形槽连通,在最后一级以外的所述下弧形槽中,每条所述下弧形槽的两端与下一级的两条所述下弧形槽的中点位置连通,最后一级所述下弧形槽的两端分别与两个所述中盖通孔连通。
6.根据权利要求5所述的边缘进气组件,其特征在于,最后一级的每条所述上弧形槽的两端通过两条上连接槽分别与两条第一级所述下弧形槽的中点位置连通。
7.根据权利要求5所述的边缘进气组件,其特征在于,所述中环盖的顶面上形成有周向延伸的环形分隔槽,多个所述第二导流槽形成在所述环形分隔槽的底部,所述边缘进气组件还包括环形分隔件,所述环形分隔件匹配设置在所述环形分隔槽中,所述环形分隔件中形成有多个连接通孔,所述第二导流槽通过所述连接通孔与对应的所述第一导流槽连通。
8.根据权利要求1至7中任意一项所述的边缘进气组件,其特征在于,所述下环盖和中环盖之间形成有环形气道,所述匀气组合气道与所述喷气孔通过所述环形气道彼此连通。
9.根据权利要求8所述的边缘进气组件,其特征在于,所述下环盖的顶面上具有环绕所述下环盖轴线的环形凸起部,且所述环形凸起部的内侧柱面与所述下环盖的内壁相平,所述中环盖的底面上形成有环形凹槽,所述下环盖的顶面与所述中环盖的底面接触,所述环形凸起部对应设置在所述环形凹槽中,且所述环形凸起部的顶部与所述环形凹槽的槽底接触,所述环形凸起部的外侧柱面与所述环形凹槽的侧壁之间形成所述环形气道。
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