[发明专利]半导体结构及其形成方法

说明书

一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：自所述第二面对所述衬底进行减薄处理，直到暴露出所述第一隔离层表面；形成所述各有源区内的第二隔离层，所述第二隔离层在所述衬底表面的投影位于相邻的所述字线栅极结构在所述衬底表面的投影之间；在所述第一面上形成若干位线，在所述减薄处理后的所述第二面上形成若干电容，所述位线平行于所述第二方向，且每条位线与若干所述有源区电连接，每个所述有源区与两个电容电连接；或者，在所述减薄厚的第二面上形成若干位线，在所述第一面上形成若干电容，所述位线平行于所述第二方向，且每条位线与若干所述有源区电连接，每个所述有源区与两个电容电连接，简化了工艺的难度，提高了芯片的集成化水平。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。

背景技术

随着现今科技快速的发展，半导体存储器被广泛地应用于电子装置中。动态随机存取存储器(dynamic random access memory，DRAM)属于一种挥发性存储器，对于储存大量数据的应用而言，动态随机存取存储器是最常被利用的解决方案。

动态随机存取存储器的基本存储单元由一个存储晶体管和一个存储电容组成，而存储阵列由多个存储单元组成。存储电容器用来存储代表存储信息的电荷，存储晶体管是控制存储电容器的电荷流入和释放的开关，存储晶体管还与存储中的内部电路连接，接收内部电路的控制信号。其中，存储晶体管中形成有源区、漏区和栅极，栅极用于控制源区和漏区之间的电流流动，并连接至字线，漏区用于构成位线接触区，以连接至位线源区用于构成存储节点接触区，以连接至存储电容器。随着集成电路制造技术的不断发展，需要进一步提高存储器芯片的器件密度，以获得更大的数据存储量。

综之，现有的动态随机存取存储器还有待改善。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供一种半导体结构及其形成方法，提高存储器的性能。

为解决上述技术问题，本发明的技术方案提供一种半导体结构，包括：衬底，所述衬底具有相对的第一面和第二面，所述衬底包括若干沿第一方向和第二方向阵列排布的有源区和第一隔离层，所述第一隔离层位于相邻有源区之间，所述第二方向与所述第一方向呈锐角夹角，各有源区在所述第一面或所述第二面的投影图形为矩形，且所述矩形的长边方向垂直于所述第一方向；位于所述衬底内的若干第一凹槽，所述第一凹槽自第一面向第二面延伸，若干所述第一凹槽沿第三方向平行排列，所述第三方向与所述第一方向相互垂直，各第一凹槽位于相邻两行有源区之间，且所述第一凹槽沿第三方向的两侧还贯穿若干有源区，且所述第一凹槽的侧壁和底部暴露出部分所述有源区表面；位于所述第一凹槽内的字线栅极结构；位于所述各有源区内的第二隔离层，所述第二隔离层在所述衬底表面的投影位于相邻的所述字线栅极结构在所述衬底表面的投影之间；位于第一面上的若干位线和位于第二面上的若干电容，所述位线平行于所述第二方向，且每条位线与一组若干所述有源区电连接，每个所述有源区与两个电容电连接；或者，位于第二面上的位线和位于第一面上的若干电容，所述位线与所述有源区电连接，所述位线平行于所述第二方向且沿所述第一方向排布，每个所述有源区与两个电容电连接。

可选的，所述若干位线位于第一面上，所述若干电容位于所述第二面上，还包括：位于所述衬底内的若干第二凹槽，所述第二隔离层位于所述第二凹槽内，所述若干第二凹槽自所述第二面向所述第一面延伸，所述若干第二凹槽沿第三方向排列，所述第三方向与所述第一方向互相垂直，且所述第二凹槽沿第一方向贯穿若干所述有源区，所述第二凹槽在所述衬底表面的投影位于相邻的字线栅极结构在所述衬底表面的投影之间，所述第二凹槽在沿所述衬底表面法线方向的尺寸小于所述第一隔离层在沿所述衬底表面法线方向的尺寸；位于所述第二隔离层两侧的所述有源区内的第一源漏区，一个所述电容与一个所述第一源漏区电连接。