[发明专利]半导体元件及其制备方法

说明书

本公开提供一种半导体元件及该半导体元件的制备方法。该半导体元件具有一基底、一第一绝缘层、一第一处理后流动层、一第二绝缘层以及一第二处理后流动层；该第一绝缘层位在该基底中；该第一处理后流动层位在该第一绝缘层与该基底之间；该第二绝缘层位在该基底中；该第二处理后流动层位在该第二绝缘层与该基底中。该第一绝缘层的一宽度是较大于该第二绝缘层的一宽度，以及该第一绝缘层的一深度是较小于该第二绝缘层的一深度。

技术领域

本申请案主张2020年7月8日申请的美国正式申请案第16/923,684号的优先权及益处，该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。

本公开是关于一种具有一流动层的半导体元件以及具有该流动层的该半导体元件的制备方法。特别是有关于一种具有该流动层的半导体元件。

背景技术

半导体元件是使用在不同的电子应用，例如个人电脑、手机、数码相机，或其他电子设备。半导体元件的尺寸是逐渐地变小，以符合计算能力所逐渐增加的需求。然而，在尺寸变小的制程期间，是增加不同的问题，且如此的问题在数量与复杂度上持续增加。因此，仍然持续着在达到改善品质、良率、效能与可靠度以及降低复杂度方面的挑战。

上文的「先前技术」说明仅是提供背景技术，并未承认上文的「先前技术」说明揭示本公开的标的，不构成本公开的先前技术，且上文的「先前技术」的任何说明均不应作为本案的任一部分。

发明内容

本公开的一实施例提供一种半导体元件，具有一基底；一第一绝缘层，位在该基底中；一第一处理后流动层，位在该第一绝缘层与该基底之间；一第二绝缘层，位在该基底中；以及一第二处理后流动层，位在该第二绝缘层与该基底之间。该第一绝缘层的一宽度是较大于该第二绝缘层的一宽度，以及该第一绝缘层的一深度是较小于该第二绝缘层的一深度。

在一些实施例中，该第一绝缘层的一深宽比是介于大约1：4到大约1：8之间，以及该第二绝缘层的一深宽比是介于大约1：6到大约1：12之间。

在一些实施例中，该半导体元件还包括一第一粘着层以及一第二粘着层，该第一粘着层位在该第一绝缘层与该第一处理后流动层之间，该第二粘着层位在该第二绝缘层与该第二处理后流动层之间。

在一些实施例中，该半导体元件还包括多个第一调整层，位在该第一绝缘层与该第一处理后流动层之间，并位在该第一处理后流动层的各侧壁上，其中所述第一调整层的宽度是从上到下逐渐缩减。

在一些实施例中，所述第一调整层的各上表面是大致与该第一绝缘层的一上表面为共面，以及该第一调整层的一深度是小于或等于该第一绝缘层的该深度的一半。

在一些实施例中，所述第一调整层是由下列材料所制：氧化铝、氧化铪、氧化锆、氧化钛、氮化钛、氮化钨、氮化硅或氧化硅。

在一些实施例中，该第一绝缘层的各侧壁呈锥形。

在一些实施例中，该第一绝缘层的各侧壁与该第一绝缘层的一上表面之间的一角度，是介于80度到大约90度之间。

本公开的另一实施例提供一种半导体元件的制备方法。该制备方法包括：提供一基底；形成一第一沟槽以及一第二沟槽在该基底中；共形形成一流动层在该基底的一上表面上以及在该第一沟槽与该第二沟槽中；执行一热制程以转变该流动层成为一加工后流动层；形成一层绝缘材料在该加工后流动层上，以完全填满该第一沟槽与该第二沟槽；以及执行一平坦化制程以转变该层绝缘材料成为一第一绝缘层在该第一沟槽中以及成为一第二绝缘层在该第二沟槽中，以及转变该加工后流动层成为一第一处理后流动层在该第一沟槽中以及成为一第二处理后流动层在该第二沟槽中。该第一沟槽与该第二沟槽具有不同深宽比。

在一些实施例中，该半导体元件的制备方法还包括一步骤：共形形成一层粘着材料在该基底的该上表面以及在该第一沟槽与该第二沟槽中，其是在形成该流动层在该基底的该上表面上以及在该第一沟槽与该第二沟槽中得该步骤之前执行，其中该流动层是形成在该层粘着材料上。