[发明专利]半导体器件及其形成方法

说明书

示例性器件包括：隔离区域，位于衬底上；第一鳍，在隔离区域的顶面之上延伸；栅极结构，位于第一鳍上；以及外延源极/漏极区域，与栅极结构相邻，外延源极/漏极区域具有第一主体部分和第一突出部分，第一主体部分设置在第一鳍中，第一突出部分设置在第一鳍的第一侧壁上和隔离区域的顶面之下。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。

技术领域

本申请的实施例涉及半导体器件及其形成方法。

背景技术

半导体器件用于各种电子应用中，诸如例如，个人计算机、手机、数码相机和其它电子设备。半导体器件通常通过在半导体衬底上方依次沉积材料的绝缘层或介电层、导电层和半导体层并且使用光刻图案化各个材料层以在其上形成电路组件和元件来制造。

半导体工业通过不断减小最小部件尺寸来不断提高各个电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，这允许更多的组件集成至给定区域中。

发明内容

本申请的一些实施例提供了一种半导体器件，包括：隔离区域，位于衬底上；第一鳍，在所述隔离区域的顶面之上延伸；栅极结构，位于所述第一鳍上；以及外延源极/漏极区域，与所述栅极结构相邻，所述外延源极/漏极区域具有第一主体部分和第一突出部分；所述第一主体部分设置在所述第一鳍中，所述第一突出部分设置在所述第一鳍的第一侧壁上和所述隔离区域的所述顶面之下。

本申请的另一些实施例提供了一种半导体器件，包括：隔离区域，位于衬底上；第一鳍，在所述隔离区域的顶面之上延伸，所述第一鳍具有第一内侧壁和第一外侧壁；第二鳍，在所述隔离区域的所述顶面之上延伸，所述第二鳍具有第二内侧壁和第二外侧壁，所述第一内侧壁和所述第二内侧壁彼此面对；以及外延源极/漏极区域，位于所述第一鳍和所述第二鳍中，所述外延源极/漏极区域沿所述第一内侧壁和所述第二内侧壁延伸第一距离，所述外延源极/漏极区域沿所述第一外侧壁和所述第二外侧壁延伸第二距离，所述第一距离小于所述第二距离。

本申请的又一些实施例提供了一种形成半导体器件的方法，包括：在鳍上沉积间隔件层，所述鳍从隔离区域延伸；图案化所述间隔件层以形成内鳍间隔件和外鳍间隔件，所述内鳍间隔件设置在所述鳍的内侧壁上，所述外鳍间隔件设置在所述鳍的外侧壁上；图案化所述鳍中的第一源极/漏极凹槽；在图案化所述第一源极/漏极凹槽之后，实施等离子体蚀刻工艺以使所述内鳍间隔件凹进，去除所述外鳍间隔件，并且在所述外鳍间隔件之下的所述隔离区域中形成第二源极/漏极凹槽；以及在所述第一源极/漏极凹槽和所述第二源极/漏极凹槽中生长外延源极/漏极区域。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1示出了三维视图中的FinFET的实例。

图2至图19B是根据一些实施例的在制造FinFET中的中间阶段的视图。

图20A和图20B是根据一些其它实施例的FinFET的视图。

图21是根据一些实施例的finFET的制造的另一工艺流程图。

图22A、图22B和图22C是根据一些实施例的图20的第一示例蚀刻步骤的结果的各个3D图和截面图。

具体实施方式

以下公开内容提供了许多用于实现本发明的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本发明。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本发明。例如，以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触形成的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外，本发明可在各个实例中重复参考标号和/或字符。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。