[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

隔离区域，位于衬底上；

第一鳍，在所述隔离区域的顶面之上延伸；

栅极结构，位于所述第一鳍上；以及

外延源极/漏极区域，与所述栅极结构相邻，所述外延源极/漏极区域具有第一主体部分和第一突出部分；所述第一主体部分设置在所述第一鳍中，所述第一突出部分设置在所述第一鳍的第一侧壁上和所述隔离区域的所述顶面之下。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述外延源极/漏极区域的所述第一主体部分的高度为所述第一鳍的总高度的30％至80％。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述外延源极/漏极区域的所述第一突出部分的高度为所述外延源极/漏极区域的总高度的10％至20％。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述外延源极/漏极区域包括：

衬垫层，位于所述第一鳍上，所述衬垫层包括具有第一锗浓度和第一硼浓度的硼掺杂的硅锗；

主体层，位于所述衬垫层上，所述主体层包括具有第二锗浓度和第二硼浓度的硼掺杂的硅锗；以及

饰面层，位于所述主体层上，所述饰面层包括具有第三锗浓度和第三硼浓度的硼掺杂的硅锗，所述第三锗浓度小于所述第二锗浓度并且大于所述第一锗浓度，所述第三硼浓度小于所述第二硼浓度并且大于所述第一硼浓度。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述衬垫层在所述隔离区域的所述顶面之下延伸，并且其中，所述主体层和所述饰面层设置在所述隔离区域的所述顶面上方。

6.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述衬垫层和所述主体层在所述隔离区域的所述顶面之下延伸，并且其中，所述饰面层设置在所述隔离区域的所述顶面上方。

7.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述衬垫层、所述主体层和所述饰面层在所述隔离区域的所述顶面之下延伸。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

第二鳍，在所述隔离区域的所述顶面之上延伸，

其中，所述栅极结构位于所述第二鳍上，并且

其中，所述外延源极/漏极区域还具有第二主体部分和第二突出部分，所述第二主体部分设置在所述第二鳍中，所述第二突出部分设置在所述第二鳍的第二侧壁上和所述隔离区域的所述顶面之下，所述第一鳍的所述第一侧壁和所述第二鳍的所述第二侧壁彼此背离。

9.一种半导体器件，包括：

隔离区域，位于衬底上；

第一鳍，在所述隔离区域的顶面之上延伸，所述第一鳍具有第一内侧壁和第一外侧壁；

第二鳍，在所述隔离区域的所述顶面之上延伸，所述第二鳍具有第二内侧壁和第二外侧壁，所述第一内侧壁和所述第二内侧壁彼此面对；以及

外延源极/漏极区域，位于所述第一鳍和所述第二鳍中，所述外延源极/漏极区域沿所述第一内侧壁和所述第二内侧壁延伸第一距离，所述外延源极/漏极区域沿所述第一外侧壁和所述第二外侧壁延伸第二距离，所述第一距离小于所述第二距离。

10.一种形成半导体器件的方法，包括：

在鳍上沉积间隔件层，所述鳍从隔离区域延伸；

图案化所述间隔件层以形成内鳍间隔件和外鳍间隔件，所述内鳍间隔件设置在所述鳍的内侧壁上，所述外鳍间隔件设置在所述鳍的外侧壁上；

图案化所述鳍中的第一源极/漏极凹槽；

在图案化所述第一源极/漏极凹槽之后，实施等离子体蚀刻工艺以使所述内鳍间隔件凹进，去除所述外鳍间隔件，并且在所述外鳍间隔件之下的所述隔离区域中形成第二源极/漏极凹槽；以及

在所述第一源极/漏极凹槽和所述第二源极/漏极凹槽中生长外延源极/漏极区域。