[发明专利]用于封装的转接板及其制备方法、半导体封装结构

权利要求书

1.一种用于封装的转接板的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

提供叠层结构，所述叠层结构由下向上依次包括支撑基底、分离层及硅衬底，所述硅衬底中形成有自下向上延伸的TSV孔，所述TSV孔中填充满有铜导电柱，所述铜导电柱与所述TSV孔侧壁之间形成有扩散阻挡层；

研磨所述硅衬底的上表面至所述TSV完全露出；

采用化学机械抛光工艺抛光所述叠层结构的上表面；

采用湿法刻蚀工艺刻蚀所述铜导电柱预设深度，形成刻蚀凹槽，同时湿法刻蚀溶液将研磨至所述硅衬底表面中的铜去除；

于所述刻蚀凹槽中填充满保护层；

刻蚀所述硅衬底的上表面至裸露出所述铜导电柱；

采用化学气相沉积工艺于所述硅衬底的上表面形成绝缘层。

2.根据权利要求1所述的用于封装的转接板的制备方法，其特征在于：所述湿法刻蚀溶液为铜刻蚀液，包括磷酸和双氧水。

3.根据权利要求1所述的用于封装的转接板的制备方法，其特征在于，形成所述叠层结构的步骤包括：

提供所述硅衬底，并于所述硅衬底中形成所述TSV孔；

于所述TSV孔的侧壁形成所述扩散阻挡层；

于所述TSV孔中填充满铜材料，形成所述铜导电柱；

提供所述支撑基底及所述分离层，并基于所述分离层将所述支撑基底与所述硅衬底具有所述TSV孔的一面粘合，以形成所述叠层结构。

4.根据权利要求1所述的用于封装的转接板的制备方法，其特征在于，形成所述保护层的步骤包括：

采用化学气相沉积工艺于所述叠层结构的上表面沉积保护层材料至填充满所述刻蚀凹槽；

采用化学机械抛光工艺抛光所述叠层结构的上表面至所述硅衬底上表面，以形成覆盖所述铜导电柱上表面的所述保护层。

5.根据权利要求1所述的用于封装的转接板的制备方法，其特征在于，形成所述绝缘层的步骤包括：

采用化学气相沉积工艺于所述叠层结构的上表面沉积绝缘层材料；

采用化学机械抛光工艺抛光所述绝缘层材料及所述保护层以裸露出所述铜导电柱，形成覆盖所述硅衬底的绝缘层。

6.根据权利要求1所述的用于封装的转接板的制备方法，其特征在于：所述刻蚀凹槽的深度介于所述铜导电柱长度的1％-2％之间，所述保护层的材料为氧化硅。

7.一种用于封装的转接板，其特征在于，所述转接板包括：

粘接于分离层上下两侧面的支撑基底及硅衬底；

贯穿所述硅衬底的TSV孔；

铜导电柱，填充满所述TSV孔且凸出于所述TSV孔且所述铜导电柱中的铜未扩散至所述硅衬底表面中；

扩散阻挡层，形成于所述铜导电柱与所述TSV孔侧壁之间且延伸至与所述铜导电柱齐平；

绝缘层，形成于所述硅衬底的表面且完全覆盖所述铜导电柱的周侧。

8.根据权利要求7所述的用于封装的转接板，其特征在于：所述支撑基底包括玻璃基底、金属基底、半导体基底、聚合物基底及陶瓷基底中的一种；所述分离层包括聚合物层或粘合胶层。

9.根据权利要求7所述的用于封装的转接板，其特征在于：所述扩散阻挡层包括氮化钽层、氮化钛层、氮化硅层及氧化硅层中的一层或至少两层的叠层。

10.根据权利要求7所述的用于封装的转接板，其特征在于：所述绝缘层包括氮化硅层及氧化硅层中的一层或两层的叠层。

11.一种半导体封装结构，其特征在于，包括如权利要求7～10中任意一项所述的用于封装的转接板。