[发明专利]一种研磨液组合物及其生产工艺

说明书

本发明提供了一种研磨液组合物及其生产工艺，涉及研磨液制备技术领域，包括如下质量比成分：去离子水200‑250份、金刚石磨粒22‑26份、铜粉18‑22份、碳化硅粒14‑17份、极压润滑剂6‑16份、防锈剂5‑15份、乳化剂1‑3份、二氧化钵粉末15‑25份、亚硝酸钠2‑4份、苯甲酸钠1‑2份、甘油1‑2份、白刚玉粉15‑20份、硬脂酸8‑10份、悬浮剂0.5‑2份和载银羟基磷酸锆纳米抗菌剂0.4‑0.7份；本发明以金刚石磨粒、铜粉、碳化硅粒、二氧化钵粉末和白刚玉粉作为磨料，并严格控制粒径，配合极压润滑剂、甘油、硬脂酸以及乳化剂的作用，润滑性能远高于同类产品，提高表面加工精度。

技术领域

本发明涉及研磨液制备技术领域，尤其涉及一种研磨液组合物及其生产工艺。

背景技术

随着经济技术的发展，作为经济发展支柱产业的材料行业得到了前所未有的高速发展，新型材料不断得到应用，新型加工工艺也在不断出现和发展，也对与之相配合的加工工具与技术不断提出新的要求，抛光研磨技术作为新精密加工技术应运而生。常用的抛光研磨精密加工技术方法包括固结磨料加工与游离磨料加工，该工艺中较为常见的加工工艺为化学机械抛光，而化学机械抛光的实质是：通过将加工液对半导体片表面的化学作用以及磨料颗粒对半导体片表面的机械作用相结合，进而实现光滑、粗糙度合适且无损伤表面的加工方法；

研磨液是抛光研磨技术中的重要组成部分，在加工过程中，具有磨削去除作用，研磨液的组成包括：固相磨料和液相介质，其中液相介质一般包含：去离子水或油(由使用性决定)、分散剂、改性剂、表面活性剂等，其在半导体行业，尤其IC集成电路用硅板等脆硬材料加工领域具有广泛的应用，现有的研磨液一般采用简单的研磨沙，对精度、粒度的要求过低，研磨效果不够好，而且不具备清洗、防锈、抗氧化性等作用，因此，本发明提出一种研磨液组合物及其生产工艺以解决现有技术中存在的问题。

发明内容

针对上述问题，本发明提出一种研磨液组合物及其生产工艺，该研磨液组合物及其生产工艺以金刚石磨粒、铜粉、碳化硅粒、二氧化钵粉末和白刚玉粉作为磨料，并严格控制金刚石磨粒和碳化硅粒的粒径，配合极压润滑剂、甘油、硬脂酸以及乳化剂的作用，经验证，润滑性能远高于同类产品，明显降低刀具，砂轮成本，提高表面加工精度。

为实现本发明的目的，本发明通过以下技术方案实现：一种研磨液组合物，包括如下质量比成分：去离子水200-250份、金刚石磨粒22-26份、铜粉18-22份、碳化硅粒14-17份、极压润滑剂6-16份、防锈剂5-15份、乳化剂1-3份、二氧化钵粉末15-25份、亚硝酸钠2-4份、苯甲酸钠1-2份、甘油1-2份、白刚玉粉15-20份、硬脂酸8-10份、悬浮剂0.5-2份和载银羟基磷酸锆纳米抗菌剂0.4-0.7份。

进一步改进在于：包括如下质量比成分：去离子水220份、金刚石磨粒25份、铜粉20份、碳化硅粒15份、极压润滑剂10份、防锈剂10份、乳化剂2份、二氧化钵粉末20份、亚硝酸钠3份、苯甲酸钠1份、甘油1份、白刚玉粉18份、硬脂酸9份、悬浮剂1份和载银羟基磷酸锆纳米抗菌剂0.6份。

进一步改进在于：所述白刚玉粉为W3-W1白刚玉，所述金刚石磨粒为粒径30-40μm的颗粒，所述碳化硅粒为粒径16-20μm的颗粒。

进一步改进在于：所述悬浮剂为羧甲基纤维素钠、聚乙二醇-400、三聚磷酸钠中的一种，所述防锈剂为三乙醇胺硼酸酯、一乙醇胺硼酸酯、一乙醇胺硼酸铵盐中的一种，所述乳化剂为硬脂酰乳酸钠。

一种研磨液组合物的生产工艺，包括以下步骤：

步骤一：先将金刚石磨粒和碳化硅粒分别过筛，去除其中的杂质和大口径颗粒，留下粒径30-40μm的金刚石磨粒、粒径16-20μm的碳化硅粒；

步骤二：将步骤一筛选后的金刚石磨粒、碳化硅粒和铜粉投入到去离子水中，并一起投入至混合机中搅拌，然后导入超声波分散器内进行分散处理，将金刚石磨粒、碳化硅粒、铜粉和去离子水混合成混合料；