[发明专利]存储装置及其阈值电压调节方法和存储控制方法

权利要求书

1.一种存储装置，包括：

多个存储单元，所述多个存储单元排列成阵列且分别包括存储晶体管，所述存储晶体管包括源极、漏极和栅极、以及在衬底中形成的深N阱区和在所述深N阱区中形成的浅P阱区；

多条字线，所述多个存储单元的同一行存储单元的存储晶体管的栅极连接至所述多条字线的同一条字线；

多条位线，所述多个存储单元的同一列存储单元的存储晶体管的漏极连接至所述多条位线的同一条位线；

多条第一连接线，所述多个存储单元的同一列存储单元的存储晶体管的浅P阱区连接至所述多条第一连接线的同一条第一连接线；以及

多条第二连接线，所述多个存储单元的同一列存储单元的存储晶体管的深N阱区连接至所述多条第二连接线的同一条第二连接线。

2.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述存储晶体管包括电荷存储层，在所述电荷存储层中未注入电荷时为第一阈值电压，在所述电荷存储层中注入电荷时为第二阈值电压，所述第一阈值电压和所述第二阈值电压均大于0V，且所述第二阈值电压大于所述第一阈值电压。

3.根据权利要求1所述的存储装置，其中，在读取操作中，所述多个存储单元中选定列的存储晶体管的所述浅P阱区和所述深N阱区接地，所述多个存储单元中未选定列的存储晶体管的所述浅P阱区和所述深N阱区浮置或接地。

4.根据权利要求2所述的存储装置，其中，在读取操作中，所述多个存储单元中选定列的选定存储单元的存储晶体管的栅极经由所述字线接收读取电压，未选定存储单元的存储晶体管的栅极经由所述字线接地。

5.根据权利要求1所述的存储装置，还包括：

第一公共焊盘，所述多个存储单元的存储晶体管的源极共同连接至所述第一公共焊盘；

字线驱动器，与所述多条字线连接以提供字线驱动信号；

位线驱动器，与所述多条位线连接以提供位线驱动信号；以及

偏置驱动器，与所述多条第一连接线连接以提供第一偏置电压，以及与所述多条第二连接线连接以提供第二偏置电压。

6.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述存储装置用于存内计算。

7.一种根据权利要求1至6中任一项所述存储装置的存储晶体管的阈值电压调节方法，包括在存储单元的擦除操作中执行以下步骤：

检测所述存储晶体管的阈值电压；以及

根据所述阈值电压执行弱擦除和弱编程至少之一，以调节阈值电压至参考值。

8.根据权利要求7所述的阈值电压调节方法，其中，调节阈值电压的步骤包括：

在所述阈值电压高于所述参考值时，调节擦除参数以及采用调节后的擦除参数执行弱擦除。

9.根据权利要求8所述的阈值电压调节方法，其中，所述擦除参数包括擦除电压和擦除时间，所述擦除电压为所述存储晶体管的栅极与浅P阱区之间的负压差。

10.根据权利要求7所述的阈值电压调节方法，其中，调节阈值电压的步骤包括：

在所述阈值电压低于所述参考值时，调节编程参数以及采用调节后的编程参数执行弱编程。

11.根据权利要求10所述的阈值电压调节方法，其中，所述编程参数包括编程电压和编程时间，所述编程电压为所述存储晶体管的栅极与浅P阱区之间的正压差。

12.一种根据权利要求1至6中任一项所述存储装置的存储控制方法，包括：

在读取操作中，所述多个存储单元的选定存储单元的存储晶体管的所述栅极和所述漏极接收读取电压，所述源极以及所述浅P阱区和所述深N阱区接地。