[发明专利]半导体器件、器件和封装

说明书

本公开提供半导体器件、器件和封装。该器件包括：基板；在基板上的外围电路和第一接合焊盘；围绕第一接合焊盘的侧表面的第一绝缘结构；接触第一接合焊盘的第二接合焊盘；在第一绝缘结构上的第二绝缘结构；在第二绝缘结构上的钝化层；上绝缘结构，在钝化层和第二绝缘结构之间；阻挡盖层，在上绝缘结构和钝化层之间；导电图案，在上绝缘结构中彼此间隔开；第一图案结构，在上绝缘结构和第二绝缘结构之间；堆叠结构，在第二绝缘结构和第一图案结构之间，并包括栅极层；以及垂直结构，穿过堆叠结构并包括数据存储结构和沟道层。

技术领域

一些示例实施方式涉及包括具有外围电路的第一结构和具有栅极层的第二结构的器件。

背景技术

由于对更高集成的需求，能够存储数据的器件需要在减小器件的体积的同时保持高容量的数据处理。作为提高这样的器件的集成度的方法，已经提出其中结构使用晶片键合方法(wafer bonding method)来接合的半导体器件。

发明内容

一些示例实施方式提供一种能够提高其集成度的器件。

一些示例实施方式提供一种能够提高其可靠性的器件。

一些示例实施方式提供一种半导体器件。该半导体器件包括：基板；在基板上的外围电路和第一接合焊盘；第一绝缘结构，在基板上并围绕第一接合焊盘的侧表面；第二接合焊盘，接触第一接合焊盘；第二绝缘结构，在第一绝缘结构上并围绕第二接合焊盘的侧表面；在第二绝缘结构上的钝化层；在钝化层和第二绝缘结构之间的上绝缘结构；阻挡盖层，在上绝缘结构和钝化层之间，并包括与上绝缘结构的材料和钝化层的材料不同的材料；导电图案，在上绝缘结构中彼此间隔开；第一图案结构，在上绝缘结构和第二绝缘结构之间；堆叠结构，在第二绝缘结构和第一图案结构之间，并包括在垂直方向上彼此间隔开的栅极层；以及在垂直方向上穿过堆叠结构的垂直结构，该垂直结构包括数据存储结构和沟道层。

一些示例实施方式提供一种器件。该器件包括：基板；在基板上的外围电路和第一接合焊盘；第一绝缘结构，在基板上并围绕第一接合焊盘的侧表面；第二接合焊盘，接触第一接合焊盘；第二绝缘结构，在第一绝缘结构上并围绕第二接合焊盘的侧表面；在第二绝缘结构上的钝化层；上绝缘结构，在钝化层和第一绝缘结构之间；图案结构，在上绝缘结构和第二绝缘结构之间；第一导电图案和第二导电图案，在上绝缘结构中并在垂直方向上与图案结构重叠；输入输出导电图案，在上绝缘结构中并在垂直方向上不与图案结构重叠；输入输出焊盘开口，穿过钝化层，延伸到上绝缘结构中，并暴露输入输出导电图案的一部分；在第二绝缘结构和图案结构之间的堆叠结构，该堆叠结构包括在垂直方向上彼此间隔开的栅极层；以及在垂直方向上穿过堆叠结构的垂直结构，该垂直结构包括沟道层和数据存储层。

一些示例实施方式提供一种封装。该封装包括：封装基底；在封装基底上的多个半导体芯片，所述多个半导体芯片在垂直方向上彼此间隔开；以及连接结构，电连接所述多个半导体芯片和封装基底，其中所述多个半导体芯片中的至少一个包括所述器件。