[发明专利]半导体器件、器件和封装

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

基板；

外围电路和第一接合焊盘，在所述基板上；

第一绝缘结构，在所述基板上并围绕所述第一接合焊盘的侧表面；

第二接合焊盘，接触所述第一接合焊盘；

第二绝缘结构，在所述第一绝缘结构上并围绕所述第二接合焊盘的侧表面；

钝化层，在所述第二绝缘结构上；

上绝缘结构，在所述钝化层和所述第二绝缘结构之间；

阻挡盖层，在所述上绝缘结构和所述钝化层之间，并包括与所述上绝缘结构的材料和所述钝化层的材料不同的材料；

导电图案，在所述上绝缘结构中彼此间隔开；

第一图案结构，在所述上绝缘结构和所述第二绝缘结构之间；

堆叠结构，在所述第二绝缘结构和所述第一图案结构之间，并包括在垂直方向上彼此间隔开的栅极层；以及

在所述垂直方向上穿过所述堆叠结构的垂直结构，所述垂直结构包括数据存储结构和沟道层。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

所述第一图案结构包括硅层，以及

所述上绝缘结构与所述硅层接触。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

所述钝化层包括聚酰亚胺或基于聚酰亚胺的材料，

所述阻挡盖层包括硅氮化物或基于硅氮化物的材料，以及

所述上绝缘结构包括硅氧化物。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

所述垂直结构还包括芯图案，

所述沟道层覆盖所述芯图案的侧表面，

所述数据存储结构在所述沟道层和所述堆叠结构之间，

所述数据存储结构包括第一电介质层、第二电介质层以及在所述第一电介质层和所述第二电介质层之间的数据存储层，

所述第二电介质层与所述沟道层接触，以及

所述沟道层的一部分与所述第一图案结构接触。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中

所述第一图案结构包括图案基底、第一图案层和第二图案层，

所述第二图案层在所述图案基底下面，并且所述第二图案层包括与所述图案基底接触的第一部分和与所述图案基底间隔开的第二部分，

所述第一图案层在所述第二图案层和所述图案基底之间，

所述垂直结构穿过所述第二图案层和所述第一图案层，并延伸到所述图案基底中，

所述第一图案层穿过所述数据存储结构并接触所述沟道层，以及

所述图案基底、所述第一图案层和所述第二图案层的每个包括硅层。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，还包括：

在所述沟道层的接触所述第一图案结构的部分与所述上绝缘结构之间的氢扩散路径，所述氢扩散路径配置为促进氢从所述上绝缘结构扩散到所述沟道层，

其中所述阻挡盖层中包括的所述材料防止所述上绝缘结构中的所述氢通过所述阻挡盖层扩散，以及

所述阻挡盖层中包括的所述材料不存在于所述氢扩散路径中。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

多个通路，

其中所述导电图案包括彼此间隔开的第一导电图案和第二导电图案，以及

所述多个通路包括在所述第一导电图案和所述第一图案结构之间并接触所述第一导电图案和所述第一图案结构的多个第一通路、以及在所述第二导电图案和所述第一图案结构之间并接触所述第二导电图案和所述第一图案结构的多个第二通路。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

输入输出焊盘开口，穿过所述钝化层和所述阻挡盖层并延伸到所述上绝缘结构中，

其中所述导电图案包括第一导电图案和输入输出导电图案，

所述输入输出焊盘开口暴露所述输入输出导电图案的一部分，

所述第一导电图案在所述垂直方向上与所述第一图案结构重叠，以及

所述输入输出导电图案在所述垂直方向上不与所述第一图案结构重叠。