[发明专利]半导体制造系统、行为辨识装置及半导体的制造方法

说明书

本发明实施例涉及半导体制造系统、行为辨识装置及半导体的制造方法。根据本发明的一些实施例，一种用于辨识半导体制造设备的行为的行为辨识装置包含存储装置及控制单元。所述存储装置经配置以存储所述半导体制造设备的日志数据。所述控制单元协同连接到所述存储装置，且经配置以基于所述日志数据建立转移状态模型以分析与所述半导体制造设备的晶片传送序列及制造操作有关的行为。

技术领域

本发明实施例涉及半导体制造系统、行为辨识装置及半导体的制造方法。

背景技术

半导体装置的制造涉及许多操作，包含沉积、光刻、蚀刻及类似者。上述操作中的每一者可包含数个不同子操作，且这些子操作可在多腔室型(multi-chamber type)集群半导体制造设备中执行。多腔室型集群半导体制造设备可用于同时处置多个晶片，借此提高处理量。多腔室型集群半导体制造设备包含用于执行不同操作或子操作的一系列异质制造单元，且多腔室型集群半导体制造设备的操作是非常复杂的。因此，难以捕捉生产率损失的根源。

发明内容

本发明的实施例涉及一种半导体制造系统，其包括：至少一个半导体制造设备，其包括：一系列制造单元，其经配置以对晶片执行制造操作；第一控制单元，其经配置以控制所述一系列制造单元的所述制造操作，且产生记录所述一系列制造单元的所述制造操作的日志数据；及第一存储装置，其协同连接到所述第一控制单元且经配置以存储从所述第一控制单元传送的所述日志数据；及行为辨识装置，其协同连接到所述半导体制造设备，所述行为辨识装置包括：第二存储装置，其协同连接到所述半导体制造设备的所述第一控制单元，且经配置以存储从所述第一控制单元传送的所述日志数据；及第二控制单元，其协同连接到所述第二存储装置，且经配置以从所述第二存储装置接收所述日志数据，且建立转移状态模型以基于所述日志数据分析与所述一系列制造单元的所述制造操作有关的行为。

本发明的实施例涉及一种半导体制造方法，其包括：由存储装置接收记录对多个晶片执行的至少一个半导体制造设备的一系列制造单元的制造操作的日志数据的输入；及由控制单元基于所述日志数据建立转移状态模型以：基于所述日志数据分析与所述一系列制造单元的所述制造操作的晶片传送序列及活动有关的行为；产生所述行为的行为属性；及基于所述行为属性捕捉不良行为的根源。

本发明的实施例涉及一种用于辨识半导体制造设备的行为的行为辨识装置，其包括：存储装置，其经配置以存储所述半导体制造设备的日志数据；控制单元，其协同连接到所述存储装置，且经配置以基于日所述志数据建立转移状态模型，以分析与所述半导体制造设备的多个制造单元的晶片传送序列及制造操作有关的行为。

附图说明

当结合附图阅读时，从以下[实施方式]容易理解本揭露的实施例的方面。应注意，根据工业中的标准实践，各种结构未按比例绘制。事实上，为清楚论述，各种结构的尺寸可任意增大或减小。

图1是说明根据本揭露的一些实施例的多腔室型集群半导体制造设备的示意图。

图2是说明根据本揭露的一些实施例的半导体制造系统的示意图。

图3A是根据本揭露的一些实施例的机器学习模型的示意图。

图3B是根据本揭露的一些实施例的图3A的机器学习模型的转移状态(transitionstate)的示意图。

图4是说明良好/不良序列与正常/异常序列之间的关系及良好/不良活动与正常/异常活动之间的关系的示意图。

图5是说明根据本揭露的一些实施例的ATM机器人在装载端口(load port)与承载室(load lock)之间的工作执行顺序的示意图。

图6是说明根据本揭露的一些实施例的承载室的工作执行顺序的示意图。

图7是说明根据本揭露的一或多个实施例的各种方面的半导体制造方法的流程图。