[发明专利]三维存储器及其制备方法

权利要求书

1.三维存储器的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成存储叠层结构以及形成贯穿所述存储叠层结构的存储沟道结构；

形成层叠在所述存储叠层结构上的选择叠层结构以及形成贯穿所述选择叠层结构并与所述存储沟道结构连接的选择沟道结构，其中，在平行于所述衬底的平面上，所述选择沟道结构的尺寸小于所述存储沟道结构的尺寸，所述存储叠层结构和所述选择叠层结构均包括交替叠置的多个电介质层和多个牺牲层；

形成贯穿所述选择叠层结构和所述存储叠层结构的栅极缝隙；

利用所述栅极缝隙，去除所述存储叠层结构和所述选择叠层结构中的所述多个牺牲层，以形成多个牺牲间隙；

在所述多个牺牲间隙内填充导电材料，以形成多个栅极层；以及

形成贯穿所述选择叠层结构的顶部选择栅切口结构，其中，所述顶部选择栅切口结构在相邻的选择沟道结构行之间延伸，沿所述顶部选择栅切口结构的排布方向上，邻近所述顶部选择栅切口结构两侧的所述选择沟道结构之间的距离，大于分别与该所述选择沟道结构连接的存储沟道结构彼此之间的距离。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，形成层叠在所述存储叠层结构上的选择叠层结构以及形成贯穿所述选择叠层结构并与所述存储沟道结构连接的选择沟道结构的步骤包括：

形成贯穿所述选择叠层结构并暴露所述存储沟道结构的选择沟道孔；

在所述选择沟道孔的内壁上形成绝缘层；

去除所述绝缘层的位于所述选择沟道孔的底部的部分，以暴露所述存储沟道结构；以及

在所述绝缘层的表面和所述选择沟道孔的底部形成导电层。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，形成叠层在所述存储叠层结构上的选择叠层结构以及形成贯穿所述选择叠层结构并与所述存储沟道结构连接的选择沟道结构的步骤还包括：

在形成有所述绝缘层和所述导电层的所述选择沟道孔内填充电介质材料。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，在形成有所述绝缘层和所述导电层的所述选择沟道孔内填充电介质材料的步骤之后，所述方法包括：

在所述电介质材料的远离所述衬底的端部形成停止层。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，在所述电介质材料的远离所述衬底的端部形成停止层的步骤包括：

去除所述电介质材料的远离所述衬底的一部分，以形成暴露所述导电层的第一凹孔；以及

在所述第一凹孔内形成停止层。

6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述停止层的材料包括氮化硅。

7.根据权利要求1或5所述的制备方法，其特征在于，形成贯穿所述选择叠层结构的顶部选择栅切口结构的步骤之前，所述方法还包括：

形成盖帽层，以覆盖所述选择沟道结构和所述选择叠层结构的远离所述衬底的表面。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，形成贯穿所述选择叠层结构的顶部选择栅切口结构的步骤包括：

形成贯穿所述选择叠层结构的顶部选择栅切口；以及

在所述顶部选择栅切口内填充电介质材料，以形成所述顶部选择栅切口结构。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，多个所述选择沟道结构在平行于所述衬底的第一方向上成行布置，所述顶部选择栅切口结构在相邻的选择沟道结构行之间延伸。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述顶部选择栅切口结构在平行于所述衬底的平面上的形状包括波浪形。