[发明专利]一种氮化镓基器件用散热衬底及其制备方法在审
申请号: | 202110685205.8 | 申请日: | 2021-06-21 |
公开(公告)号: | CN113421865A | 公开(公告)日: | 2021-09-21 |
发明(设计)人: | 余晨辉;沈倪明;秦嘉怡;陆炎;罗曼 | 申请(专利权)人: | 南通大学 |
主分类号: | H01L23/367 | 分类号: | H01L23/367;H01L23/373;H01L21/02 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 黄欣 |
地址: | 226019 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 氮化 器件 散热 衬底 及其 制备 方法 | ||
1.一种氮化镓基器件用散热衬底,其特征在于:包括衬底本体,在衬底本体上有范德瓦尔斯结构层;
所述范德瓦尔斯结构层至少包括两个氮化镓层和一个石墨烯层,所述石墨烯层在两个氮化镓层之间;
所述石墨烯层由单层石墨烯制成。
2.根据权利要求1所述的氮化镓基器件用散热衬底,其特征在于:所述衬底本体为蓝宝石衬底。
3.权利要求1所述的氮化镓基器件用散热衬底的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:
步骤1,利用金属有机化学气相沉积法在蓝宝石衬底上生长一层氮化镓层,形成第一氮化镓层;
步骤2,将单层石墨烯转移至步骤1的氮化镓层,由此在氮化镓层上生成石墨烯层;
步骤3,在步骤2的石墨烯层上外延生长出第二氮化镓层;
步骤4,重复按照步骤2和步骤3的顺序,先将单层石墨烯转移至氮化镓层上,然后再在单层石墨烯上远程外延生长出新的氮化镓层,由此形成范德瓦尔斯结构层。
4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于:步骤2中采用“辊对辊”的干法转移技术将单层石墨烯转移至氮化镓层上。
5.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于:步骤3中采用远程外延技术在石墨烯层上外延生长氮化镓层。
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