[发明专利]高频供电部件以及等离子体处理装置

说明书

本发明提供一种高频供电部件,其降低高频的传输路径中的热负载。该高频供电部件用于供给高频电力,其具有:内部导体,其形成中空；以及外部导体,其以包围上述内部导体的方式配置,在上述内部导体和上述外部导体的至少一者的壁面的内部设有制冷剂流路。

技术领域

本发明涉及高频供电部件以及等离子体处理装置。

背景技术

例如,专利文献1公开了具有将第一高频电源以及第二高频电源与下部电极电连接的高频供电部件,且向下部电极施加高频电力的等离子体处理装置。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本国特开2019-21803号公报

发明内容

本发明要解决的问题

本发明提供一种能够降低高频传输路径中的热负载的技术。

用于解决问题的手段

根据本发明的一个方式,提供一种高频供电部件,其用于供给高频电力,该高频供电部件具有:内部导体，其形成中空；以及外部导体,其以包围上述内部导体的方式配置,在上述内部导体和上述外部导体的至少一者的壁面的内部设有制冷剂流路。

发明的效果

根据一个方面,能够降低高频传输路径中的热负载。

附图说明

图1是概略示出一个实施方式的等离子体处理装置的图。

图2是示出一个实施方式的高频供电部件的图。

图3是示出一个实施方式的制冷剂流路内的突起的一个例子的图。

图4是示出一个实施方式的高频供电部件的造型中使用的3D打印机的一个例子的图。

具体实施方式

以下,参照附图对用于实施本发明的方式进行说明。在各附图中,对相同构成部分付与相同附图标记,有时省略重复的说明。

[等离子体处理装置]

对于一个实施方式的等离子体处理装置10中,使用图1进行说明。图1是概略示出一个实施方式的等离子体处理装置10的图。图1所示等离子体处理装置10为电容耦合型等离子体处理装置。

等离子体处理装置10包括腔室主体12。腔室主体12具有大致圆筒形状,并且将其内部空间作为腔室12c进行提供。腔室主体12由例如铝或不锈钢形成。腔室主体12接地。在腔室主体12的内壁面、即用于界定腔室12c的壁面上形成有具有耐等离子体性的膜。该膜可以为通过阳极氧化处理形成的膜或由氧化钇形成的膜这样的陶瓷制的膜。在腔室主体12的侧壁上形成有开口12p。以半导体晶圆为一个例子的基板W搬入腔室12c时或者自腔室12c搬出时,通过开口12p。在腔室主体12的侧壁上安装有用于对开口12p进行开闭的门阀12g。需要说明的是,基板W可以为例如由硅这样的材料形成的大致圆盘形状的板。

在腔室12c内设有工作台14。工作台14在腔室12c内以用于支承基板W的方式构成。工作台14由支承部15支承。在一个实施方式中,支承部15具有第一部件15a以及第二部件15b。第一部件15a由陶瓷这样的绝缘体形成。第一部件15a具有大致圆筒形状。第一部件15a自腔室主体12的底部向上方延伸。第二部件15b设于第一部件15a的上端之上。第二部件15b由陶瓷这样的绝缘体形成。第二部件15b具有大致环状板形状。即,第二部件15b具有在其中央开口的大致圆盘形状。工作台14配置于第二部件15b之上。工作台14和支承部15以确保腔室主体12内的空间的气密的方式结合在一起。