[发明专利]用于沉积氧化硅膜的组合物和方法

权利要求书

1.一种将包含硅和氧的膜沉积到衬底上的方法，其包括以下步骤：

a)在反应器中提供衬底；

b)将至少一种硅前体化合物引入所述反应器，其中所述至少一种硅前体化合物选自式A和B：

其中，

R¹独立地选自直链C₁至C₁₀烷基、支链C₃至C₁₀烷基、C₃至C₁₀环烷基、C₃至C₁₀杂环基、C₃至C₁₀烯基、C₃至C₁₀炔基和C₄至C₁₀芳基；

R²选自氢、直链C₁至C₁₀烷基、支链C₃至C₁₀烷基、C₃至C₁₀环烷基、C₃至C₁₀杂环基、C₃至C₁₀烯基、C₃至C₁₀炔基和C₄至C₁₀芳基，其中式A或B中的R¹和R²连接以形成环状环结构或不连接以形成环状环结构；

R³-R⁸各自独立地选自氢、直链C₁至C₁₀烷基、支链C₃至C₁₀烷基、C₃至C₁₀环烷基、C₂至C₁₀烯基、C₂至C₁₀炔基和C₄至C₁₀芳基；

X选自氢、直链C₁至C₁₀烷基、支链C₃至C₁₀烷基、C₃至C₁₀环烷基、C₂至C₁₀烯基、C₂至C₁₀炔基、C₄至C₁₀芳基、卤素和NR⁹R¹⁰，其中R⁹和R¹⁰各自独立地选自氢、直链C₁至C₆烷基、支链C₃至C₆烷基、C₃至C₁₀环烷基、C₃至C₁₀烯基、C₃至C₁₀炔基和C₄至C₁₀芳基，其中R⁹和R¹⁰连接以形成环状环结构或不连接以形成环状环结构，并且其中R¹和R⁹连接以形成环状环或不连接以形成环状环；

c)用吹扫气体吹扫所述反应器；

d)将含氧源引入所述反应器中；和

e)用吹扫气体吹扫所述反应器，

其中重复步骤b至e，直到沉积期望厚度的所述膜，和

其中所述方法在约25℃至600℃的一个或多个温度下进行。