[发明专利]一种反熔丝单元工艺质量监控测试电路

权利要求书

1.一种反熔丝单元工艺质量监控测试电路，包括译码器、存储器、灵敏放大器、编程模块、控制模块和电源端口VDD端、VCC端与GND端，其特征在于，所述译码器、存储器和灵敏放大器依次连接在一起，所述灵敏放大器，编程模块并联在一起，所述灵敏放大器和所述编程模块均与所述控制模块相连，所述译码器上连接有输入端口Am-A0端和An-Am+1端，所述灵敏放大器和编程模块上并联有输出端口DQn～DQ0，所述存储器上连接有电阻校验端口R1和R2，所述控制模块上设有输入端、端和端，所述编程模块和VCC端连接在一起；所述存储器包括选择管M1、选择管M2，限流管M3、限流管M4以及高压隔离管M5，反熔丝单元AF1、反熔丝单元AF2，连接节点S1、连接节点S2，状态节点Q1、状态节点Q2，输入使能CE_OE_PE，行列地址BL、行列地址WL1，WL2，选择管M1和选择管M2栅极连接在一起，选择管M1和限流管M3源漏相连，其连接点为S1节点；选择管M2和限流管M4源漏相连，其连接点为S2节点；反熔丝单元AF1与选择管M1并联，反熔丝单元AF2与选择管M2并联；高压隔离管M5源漏分别连接状态节点Q1和Q2，状态节点Q1连接行列地址BL；限流管M3的栅端连接行列地址WL1，源端接地；限流管M4的栅端连接行列地址WL2，源端接地；选择管M1和选择管M2的漏极连接状态节点Q1。

2.根据权利要求1所述的一种反熔丝单元工艺质量监控测试电路，其特征在于：存储器包括读出电路，所述读出电路包括上拉管M6以及反相器INV1，状态节点Q2、Q3，高压隔离管M5为存储阵列输出隔离管，对应输出状态节点Q2连接在M6源端和INV1的输入端，M6漏端连接电源，反相器INV1输出端的状态节点Q3作为读出信号最终输出。

3.根据权利要求1所述的一种反熔丝单元工艺质量监控测试电路，其特征在于：存储器容量为16kbit～1Mbit。