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[发明专利]一步法氧化合成3-(苄氧基)-4-氧代-4H-吡喃-2-羧酸的方法-CN202211124395.7在审
发明人：吴泰志;王小旭;黄孔程;史银菲;王印权;孙涵;袁顺;陆建吾;翁卫钊 -专利权人：黄冈鲁班药业股份有限公司;上海医药工业研究院有限公司
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C07D309/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化合成3‑(苄氧基)‑4‑氧代‑4H‑吡喃‑2‑羧酸的方法。具体地，所述的方法包括用双氧水作为氧化剂，经一步氧化即可获得高收率的3‑(苄氧基)‑4‑氧代‑4H‑吡喃‑2‑羧酸。本发明的方法收率高、无有机废水产生、绿色环保、适合工业化生产。
一步法氧化合成苄氧基吡喃羧酸方法

[实用新型]一种方便对加工件调节的工作台-CN202320162917.6有效
发明人： 王印权;李倩;黄维刚;董广启;宋娟娟;张国玲;曲国栋;常志斌 -专利权人：烟台世德装备股份有限公司
申请日： 2023-02-09 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： B25H1/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种方便对加工件调节的工作台，包括加工桌面，所述加工桌面的内部开设有方形槽，所述方形槽的两侧内壁之间转动连接有第一螺杆，所述第一螺杆的一端固定连接有弯折柄一，所述弯折柄一的一端位于加工桌面的外部，所述方形槽的内壁底端转动连接有中心柱，所述中心柱的顶部穿过加工桌面的顶端且固定连接有圆形块，所述中心柱的外部固定连接有柱齿轮。通过设置的柱齿轮与第一螺杆，当第一螺杆产生转动时，柱齿轮会随第一螺杆的转动而同步进行转动，之后中心柱顶部固定连接的圆形块也会进行转动，以达到将后续设置进行水平转动的目的，便于作业人员的进一步作业，整个变动过程仅需驱动弯折柄一，简单快捷，提高作业效率。
一种方便工件调节工作台

[发明专利]金属箔-增强粉末复合药芯焊丝的制造装置及方法-CN202310216439.7在审
发明人：周祥曼;谭晨宇;田启华;付君健;王印权;吕奇钊 -专利权人：三峡大学
申请日： 2023-03-08 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： B23K35/40 文献下载
摘要：本发明提供了金属箔‑增强粉末复合药芯焊丝的制造装置及方法，它包括装置钣金外壳，装置钣金外壳的顶部一侧设置有金属卷箔送料架；所述金属卷箔送料架的金属箔出口侧设置有用于对金属箔卷绕成空腔金属箔丝，并同步在空腔金属箔丝内部添加增强粉末的同轴卷绕复合焊丝装置；所述同轴卷绕复合焊丝装置的底端设置有金属箔‑粉末复合焊丝进行预热及超声波震动的钨板‑超声波模块；所述钨板‑超声波模块的输出端设置有用于对金属箔‑粉末复合焊丝进行定型及送出的焊丝定形送丝组件，本发明具有材料配比方式简洁、效率高、成型质量好、材料的利用率高、材料的组合性强以及可以灵活调节金属箔‑粉末复合的配比等优点。
金属增强粉末复合焊丝制造装置方法

[发明专利]一种FPGA开关单元、控制方法及其制备方法-CN202111017239.6有效
发明人：张海良;郑若成;宋思德;王印权;施辉;曹利超;徐何军 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种集成电路的开关单元，尤其是一种FPGA开关单元、控制方法及其制备方法。一种FPGA开关单元，包括组成单浮栅折叠结构的FLASH、NMOS管T1、NMOS管T2和信号传输管T3；FLASH设有两个，且相对设置；管T1的栅极与一端的FLASH共浮栅，漏极与电源Vdd连接，源极与管T2的漏极连接；管T2的栅极与WL一端的FLASH共浮栅，漏极与NMOS管T1的源极连接，源极与Gnd连接；管T1和管T2输出的电压驱动信号传输管T3，控制信号传输管T3的信号传输。该开关单元采用单浮栅折叠结构，采用两个互补对称的FLASH，分别通过各自的浮栅控制一个NMOS，行成稳定Push‑Pull结构，然后输出电压驱动一个信号传输管，工艺制作简单、编程功耗低、非易失性和可靠性高。
一种 fpga 开关单元控制方法及其制备

[发明专利]一种自锁式防坠器及使用方法-CN202310185517.1在审
发明人：周祥曼;王印权;谭晨宇;程润林;张子琪 -专利权人：三峡大学
申请日： 2023-03-01 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： A62B35/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种自锁式防坠器及使用方法，防坠器外壳的一侧两端对称转动安装有左导轮组，左导轮组与穿过防坠器外壳内部的钢丝绳一侧构成滚动配合；防坠器外壳的下部通过扭转弹簧转动安装有压杆扭簧轴，压杆扭簧轴上安装有压杆；压杆上转动安装有小偏心导轮和大偏心导轮；防坠器外壳的右侧转动安装有凸台手柄，凸台手柄的下侧壁用于对其进行位置锁定的支架拨块相配合；支架拨块的中间部位铰接在防坠器外壳上，支架拨块的底端与防坠器外壳之间连接有支架拨块弹簧；防坠器外壳的顶端安装有盖板。此防坠器通过凸台手柄带动压杆转动，可实现钢丝绳的夹紧，凸台手柄下部具有自锁装置，可防止凸台手柄的回转，安全性较好，解决了传统防坠器不能及时自锁及磨损严重的问题。
一种锁式防坠器使用方法

[发明专利]一种反熔丝单元结构及其制备方法-CN202111222390.3在审
发明人：郑若成;王印权;郑良晨;胡君彪;郝新焱;洪根深;宋思德 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2021-10-20 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明涉及一种反熔丝结构，尤其是一种反熔丝单元结构及其制备方法，一种反熔丝单元结构，包括反熔丝结构本体，所述反熔丝结构本体包括从上到下依次设置的上阻挡层、反熔丝膜层和下阻挡层；还包括侧面隔离层，所述侧面隔离层设置在所述反熔丝结构本体的外侧面。用于隔离上极板金属与下阻挡层。本发明提供的一种反熔丝单元结构采用侧墙隔离进行上极板引出，有利于单元尺寸进一步缩小，提升集成度，同时工艺上更加简洁，减少了一次光刻，工艺成本低，并且工艺套刻对位难度小，工艺容宽大；上极板金属引出时与上阻挡层接触面积大，可靠性更优。
一种反熔丝单元结构及其制备方法

[发明专利]一种基于碳纳米管的集成电路场间互连方法-CN202310049883.4在审
发明人：翟培卓;洪根深;王印权;郑若成;郝新焱;朱少立 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2023-02-01 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开一种基于碳纳米管的集成电路场间互连方法，属于集成电路制造领域。在半导体晶圆上制造电路有源区，并将需要场间互连的金属端口布置到单颗芯片的边缘位置；利用光刻技术，在晶圆表面的金属端口位置制造光刻胶开口；在光刻胶开口中形成金属催化层，并在金属催化层上表面形成金属阻挡层；去除上一步骤中残留的光刻胶后，在晶圆表面重新涂覆光刻胶；利用光刻技术，在晶圆表面需要场间互连的两个金属端口之间制造光刻胶开口通道；在开口通道中填充碳纳米管；去除上一步骤中残留的光刻胶后，在填充碳纳米管的晶圆表面形成钝化层。本发明利用碳纳米管作为集成电路场间互连的通道，电流承载能力强，传输带宽大，并能避免电迁移问题。
一种基于纳米集成电路互连方法

[实用新型]一种便于提取砂块的砂箱-CN202222062227.1有效
发明人：赵善友;王印权;宫本利;吕玉东;刘承泉;张继锁 -专利权人：烟台世德装备股份有限公司
申请日： 2022-08-08 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： B22C21/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种便于提取砂块的砂箱，包括底板，底板的顶部固定安装有第一支撑板，第一支撑板的一侧固定安装有第一电机，第一电机的输出端转动安装有第一螺纹杆，第一支撑板的一侧开设有第一滑槽，第一滑槽的一侧滑动安装有第一滑块，第一滑块的一侧固定安装有第二支撑板，第二支撑板一侧外固定安装有第二电机，第二电机的输出端转动安装有第二螺纹杆，第二支撑板的一侧开设有第二滑槽，第二螺纹杆螺纹连接有第二滑块，第二滑块的一侧固定安装有第一气缸，第一气缸的底部固定安装有夹具。通过第一电机，第一电机带动第一螺纹杆转动，第一螺纹杆转动带动第一滑块在第一滑槽上下滑动，使夹具上下调节高度，方便夹取砂块。
一种便于提取砂箱

[发明专利]一种反熔丝单元结构、制备方法及电极结构的制备方法-CN202110852260.1在审
发明人：郑若成;王印权;郑良晨;胡君彪;郝新焱;洪根深;宋思德 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2021-07-27 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明涉及一种反熔丝结构，尤其是一种反熔丝单元结构、制备方法及电极结构的制备方法。一种反熔丝单元结构，包括上阻挡层和反熔丝膜层，所述上阻挡层设置在所述反熔丝膜层上，所述反熔丝膜层设置在二氧化硅介质层上，且位于钨塞柱的上方。本发明提供的一种反熔丝单元结构优化了反熔丝单元的底部结构，去除反熔丝单元结构的下极板阻挡层，使得反熔丝叠层腐蚀工艺容宽显著扩大，对工艺过程中的缺陷耐受能力增强，提升反熔丝单元结构的良率。
一种反熔丝单元结构制备方法电极

[实用新型]一种便捷式手动弯管机-CN202222354789.3有效
发明人：李站杰;武赐龙;王印权 -专利权人：河南省鼎大机电设备安装工程有限公司
申请日： 2022-09-05 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： B21D7/024 文献下载
摘要：本实用新型提供一种便捷式手动弯管机，属于弯管加工技术领域，包括基座，所述基座上设有通过支轴组件转动支撑的旋转齿轮，所述基座上设有通过手动作用转动的作用齿轮，所述作用齿轮与旋转齿轮啮合，所述旋转齿轮上设有随其转动的弯制模具，所述弯制模具的侧面设有弯制槽，所述弯制模具的底端一侧设有随动限位座，所述基座上设有限位固定座，所述随动限位座和限位固定座上均设有配合限位弯管工件且可调节的限位模块，所述限位模块与弯制模具相对的一侧设有与弯制槽对应的弧形凹槽；本实用新型方便实现小尺寸的管件弯制，提高弯制效率且规范、统一弯制效果。
一种便捷手动弯管

[发明专利]β-烟酰胺单核苷酸的制备方法-CN202011417086.X有效
发明人：吴泰志;杨小龙;袁顺;史银菲;陆建吾;梁小敏;王印权;李潇 -专利权人：黄冈鲁班药业股份有限公司;上海医药工业研究院
申请日： 2020-12-04 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： C07H1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种β‑烟酰胺单核苷酸的制备方法。本发明的方法以式II所示化合物为原料，依次经过糖苷化缩合、脱保护、磷酸化、脱酰基保护基反应制备β‑烟酰胺单核苷酸。相比于现有技术中的方法，本发明的方法具有收率高、操作简单、中间体易于纯化、磷酸化选择性好等优点。
烟酰胺单核苷酸制备方法

[发明专利]β-烟酰胺核糖的制备方法-CN202011409671.5有效
发明人：吴泰志;杨小龙;袁顺;史银菲;陆建吾;梁小敏;王印权;李潇 -专利权人：黄冈鲁班药业股份有限公司;上海医药工业研究院
申请日： 2020-12-04 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： C07H19/048 文献下载
摘要：本发明公开了一种β‑烟酰胺核糖的制备方法。本发明的方法以N‑三苯甲基‑3‑吡啶甲酰胺(式III所示化合物)和1,2,3,5‑四乙酰‑β‑D‑呋喃核糖(式II所示化合物)为原料，依次经过糖苷化缩合、脱乙酰基、脱三苯甲基反应制备β‑烟酰胺核糖(式I所示化合物)。本发明的方法具有收率高、操作简单、中间体及产物易于纯化等优点。本发明还提供了制备β‑烟酰胺核糖中利用的结构全新的中间体式III所示化合物、式IV所示化合物和式V所示化合物。
烟酰胺核糖制备方法

[实用新型]一种弯管机-CN202221800016.7有效
发明人：李站杰;武赐龙;王印权 -专利权人：河南省鼎大机电设备安装工程有限公司
申请日： 2022-07-13 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： B21D7/14 文献下载
摘要：本实用新型提供一种弯管机，包括：机架；弯管机构，弯管机构包括转动设置于机架上的弯管轮，弯管轮上设有用于对待加工管进行限位的限位组件；辅助限位机构，辅助限位机构设置于机架上；驱动机构，驱动机构设置于机架上，驱动机构驱动弯管轮旋转，以使受限位组件限位的待加工管相对于辅助限位机构滑动，从而使待加工管环绕弯管轮弯曲；调节控制机构，调节控制机构包括设置于机架上的固定盘、设置于固定盘上且用于指示弯管轮的旋转角度的弧形刻度、可拆卸设置于机架上且与弧形刻度相配合以控制弯管轮的旋转角度的限位开关。本实用新型能够达到准确控制弯管的弯曲角度或弧线的目的，满足实际生产对多种不同弯曲角度或弧线弯管的需求，实用性强。
一种弯管

[发明专利]一种提高n型Flash存储器件抗辐射性能的方法-CN202211020083.1在审
发明人：徐大为;徐蓓蕾;曹利超;施辉;徐何军;王印权;吴建伟;葛超洋;黄天 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2022-08-24 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高n型Flash存储器件抗辐射性能的方法，包括如下步骤：首先提供P型外延层，在P型外延层上依次形成二氧化硅层和氮化硅层；接着刻蚀形成STI隔离槽，对STI隔离槽底部和侧壁注入氮和氧；然后进行高温退火，使用LPCVD再生长一层氮化硅；填充HDP介质并退火，并对HDP介质进行平坦化；最后进行Flash高压阱注入、隧道氧化生长、浮栅多晶淀积、ONO淀积、控制栅多晶淀积、多晶刻蚀、LDD注入、侧墙淀积及刻蚀、源漏注入，后续工艺遵循通用的0.13μmFlash工艺制程。本发明提供的方法中STI侧壁形成的NON结构稳定，不受后续工艺制造热过程的影响；与通用的Flash工艺兼容型强。
一种提高 flash 存储器件辐射性能方法

[发明专利]一种反熔丝单元工艺质量监控测试电路-CN202110644497.0有效
发明人：郑若成;王印权;郑良晨;胡君彪;郝新焱 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2021-06-09 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明属于半导体工艺制造技术领域，为一种反熔丝单元工艺质量监控测试电路，包括译码器、存储器、灵敏放大器、编程模块、控制模块和电源端口VDD端、VCC端与GND端，所述译码器、存储器和灵敏放大器依次连接在一起，所述灵敏放大器，编程模块和控制模块并联在一起，所述译码器上连接有输入端口Am‑A0端和An‑Am+1端，所述控制模块上连接有PE‑CE‑OE端，所述灵敏放大器和编程模块上并联有输出端口DQn～DQ0，所述存储器上连接有电阻校验端口R1和R2，所述控制模块上设有输入CE端、PE端和OE端，所述译码器上设有输入Am‑A0端和An‑Am+1端；本发明可以有效的监控编程前反熔丝单元工艺缺陷、不同编程电流下反熔丝单元编程电阻特性。
一种反熔丝单元工艺质量监控测试电路

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