[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底，包括用于形成第一晶体管的第一器件区、以及与所述第一器件区相邻且用于形成第二晶体管的第二器件区；

底部鳍部，凸立于所述第一器件区和第二器件区的衬底上；

第一防穿通离子层，位于所述第一器件区的底部鳍部上；

第二防穿通离子层，位于所述第二器件区的底部鳍部上；

第一器件鳍部，位于所述第一防穿通离子层上；

第二器件鳍部，位于所述第二防穿通离子层上；

离子阻挡层，位于所述第二防穿通离子层和第二器件区的底部鳍部之间。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：第一阱区，位于第一器件区的所述底部鳍部中和部分厚度的所述衬底中；

第二阱区，位于第二器件区的所述底部鳍部中和部分厚度的所述衬底中。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：隔离层，所述隔离层位于所述衬底上，且覆盖所述底部鳍部的侧壁、所述第一防穿通离子层和第二防穿通离子层的侧壁、以及所述离子阻挡层的侧壁。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述离子阻挡层的厚度为3nm至40nm。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述离子阻挡层的材料包括碳化硅、氮化硅和碳氮化硅中的一种或多种。

6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一防穿通离子层的材料包括掺磷的硅、掺砷的硅或掺硼的硅；所述第二防穿通离子层的材料包括掺磷的硅、掺砷的硅或掺硼的硅。

7.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一器件鳍部的材料包括硅、锗、锗化硅或Ⅲ-Ⅴ族半导体材料；所述第二器件鳍部的材料包括硅、锗、锗化硅或Ⅲ-Ⅴ族半导体材料。

8.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一晶体管和第二晶体管的沟道导电类型不同；

所述第一防穿通离子层中离子的导电类型与所述第一晶体管的沟道导电类型不同；

所述第二防穿通离子层中离子的导电类型与所述第二晶体管的沟道导电类型不同。

9.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，包括衬底和位于所述衬底上的第一鳍部材料层，所述基底包括用于形成第一晶体管的第一器件区、以及与所述第一器件区相邻且用于形成第二晶体管的第二器件区，在所述第一器件区中，所述衬底和第一鳍部材料层之间还形成有第一防穿通离子层；

去除位于所述第二器件区的第一鳍部材料层，露出所述第一器件区的第一防穿通离子层的侧壁；

在露出的所述第一器件区的第一防穿通离子层的侧壁形成离子阻挡层；

形成所述离子阻挡层后，在所述第二器件区的衬底上形成第二防穿通离子层；

在所述第二防穿通离子层上形成第二鳍部材料层；

进行鳍部图形化处理，图形化所述第一鳍部材料层、第二鳍部材料层、第一防穿通离子层、第二防穿通离子层、离子阻挡层以及部分厚度的衬底，将部分厚度的所述衬底图形化为分别凸立于所述第一器件区和第二器件区的剩余衬底上的底部鳍部，并将所述第一鳍部材料层图形化为凸立于所述第一器件区的底部鳍部上的第一器件鳍部，将所述第二鳍部材料层图形化为凸立于所述第二器件区的底部鳍部上的第二器件鳍部；

完成所述鳍部图形化处理之后，在所述衬底上形成隔离层，所述隔离层覆盖所述底部鳍部的侧壁、所述第一防穿通离子层和第二防穿通离子层的侧壁、以及所述离子阻挡层的侧壁。