[发明专利]集成电路器件及其制造方法、以及集成电路制造系统

说明书

一种集成电路(IC)器件，包括：衬底，具有相对的第一面和第二面；有源区，位于衬底的第一面上方；第一导电图案，位于有源区上方；以及第二导电图案，位于衬底的第二面下方。有源区包括第一部分和第二部分。第一导电图案电连接至有源区的第一部分和第二部分。第二导电图案电连接至有源区的第一部分和第二部分。本发明还涉及集成电路器件的制造以及集成电路制造系统。

技术领域

本发明的实施例涉及集成电路器件及其制造方法、以及集成电路制造系统。

背景技术

集成电路(IC)器件包括以IC布局图表示的多个半导体器件。IC布局图是分级的，并且包括根据半导体器件设计规范执行更高级别功能的模块。模块通常由单元的组合来构建，其每一个代表配置成实施特定功能的一个或者多个半导体结构。具有预先设计的布局图的单元，有时也称为标准单元，存储在标准单元库(为了简化起见，以下称为“库”或者“单元库”)中，并且可以通过各种工具(例如电子设计自动化(EDA)工具)进行访问，以生成、优化、和验证用于IC的设计。

发明内容

本发明的一个实施例涉及一种集成电路器件，包括：衬底，具有相对的第一面和第二面；有源区，位于所述衬底的所述第一面上方，所述有源区包括第一部分和第二部分；第一导电图案，位于所述有源区上方，并且电连接至所述有源区的所述第一部分和所述第二部分；以及第二导电图案，位于所述衬底的所述第二面下方，并且电连接至所述有源区的所述第一部分和所述第二部分。

本发明的又一个实施例涉及一种集成电路制造系统，包括处理器，处理器配置成生成可用于制造IC器件的集成电路(IC)布局，所述IC布局包括：有源区；多个栅极区，在所述有源区上延伸，所述多个栅极区包括第一栅极区和第二栅极区；第一接触区，位于所述有源区上方，并且紧邻所述第一栅极区；第二接触区，位于所述有源区上方，并且紧邻所述第二栅极区；第一通孔，位于所述第一接触区上方；第二通孔，位于所述第二接触区上方；第一导电图案，位于所述第一通孔和所述第二通孔上方；第一贯穿通孔，位于所述第一接触区和所述有源区下方；第二贯穿通孔，位于所述第二接触区和所述有源区下方；以及第二导电图案，位于所述第一贯穿通孔和所述第二贯穿通孔下方；其中，所述第一导电图案、所述第一通孔、所述第一接触区、所述第一贯穿通孔、和所述第二导电图案彼此重叠，并且所述第一导电图案、所述第二通孔、所述第二接触区、所述第二贯穿通孔、和所述第二导电图案彼此重叠。

本发明再一实施例涉及一种集成电路器件的制造方法，包括：在衬底的第一面上方形成第一晶体管和第二晶体管，所述衬底具有与所述第一面相对的第二面；在所述衬底的所述第一面上方的第一金属层中形成第一导电图案，所述第一导电图案将所述第一晶体管的第一源极/漏极电连接至所述第二晶体管的第二源极/漏极；并且在所述衬底的所述第二面下方的第二金属层中形成第二导电图案，所述第二导电图案将所述第一晶体管的所述第一源极/漏极电连接至所述第二晶体管的所述第二源极/漏极。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1A是根据一些实施例的IC器件的示意性IC布局图；

图1B是根据一些实施例的IC器件的一部分的示意性截面图；

图1C是根据一些实施例的IC器件中的电路的示意性电路图；

图2A-图2C是根据一些实施例的IC器件中的电路的示意性电路图；

图3是根据一些实施例的IC器件的示意性IC布局图；

图4A-图4F是根据一些实施例的IC器件在各种层的各种示意性透视图；

图5是根据一些实施例的IC器件的示意性透视图；

图6A-图6B是根据一些实施例的在制造工艺的各个阶段进行制造的IC器件的示意性截面图；