[发明专利]集成电路器件及其制造方法、以及集成电路制造系统

权利要求书

1.一种集成电路器件，包括：

衬底，具有相对的第一面和第二面；

有源区，位于所述衬底的所述第一面上方，所述有源区包括第一部分和第二部分；

第一导电图案，位于所述有源区上方，并且电连接至所述有源区的所述第一部分和所述第二部分；以及

第二导电图案，位于所述衬底的所述第二面下方，并且电连接至所述有源区的所述第一部分和所述第二部分。

2.根据权利要求1所述的集成电路器件，还包括：

第一贯穿通孔结构，从所述第二面穿过所述衬底延伸至与所述有源区的所述第一部分电接触的所述第一面；以及

第二贯穿通孔结构，从所述第二面穿过所述衬底延伸至与所述有源区的所述第二部分电接触的所述第一面；

其中，所述第二导电图案电连接至所述第一贯穿通孔结构和所述第二贯穿通孔结构。

3.根据权利要求2所述的集成电路器件，还包括：

第一接触结构，位于所述有源区的所述第一部分上方，并且与所述有源区的所述第一部分电接触，所述第一接触结构电连接至所述第一导电图案；以及

第二接触结构，位于所述有源区的所述第二部分上方，并且与所述有源区的所述第二部分电接触，所述第二接触结构电连接至所述第一导电图案。

4.根据权利要求3所述的集成电路器件，其中，以下至少之一：

所述第一接触结构和所述第一贯穿通孔结构与所述有源区的所述第一部分的对应的相对表面直接接触，或者

所述第二接触结构和所述第二贯穿通孔结构与所述有源区的所述第二部分的对应的相对表面直接接触。

5.根据权利要求3所述的集成电路器件，其中，

沿着所述衬底的厚度方向从所述第一面至所述第二面，

所述第一导电图案、所述第一接触结构、所述有源区的所述第一部分、所述第一贯穿通孔结构、和所述第二导电图案彼此重叠，并且

所述第一导电图案、所述第二接触结构、所述有源区的所述第二部分、所述第二贯穿通孔结构、和所述第二导电图案彼此重叠。

6.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，

所述第一导电图案位于金属零层中，并且

所述第二导电图案位于背面金属零层中。

7.根据权利要求1所述的集成电路器件，还包括：

伪栅极，位于所述有源区的所述第一部分和所述第二部分之间。

8.根据权利要求1所述的集成电路器件，还包括：

多个栅极，所述多个栅极在所述有源区上延伸，并且与所述有源区一起构成多个晶体管，

其中，

所述多个晶体管包括：

第一晶体管，所述第一晶体管所具有的源极/漏极是所述有源区的所述第一部分，以及

第二晶体管，所述第二晶体管所具有的源极/漏极是所述有源区的所述第二部分，并且

所述第一晶体管和所述第二晶体管构成差分晶体管对。