[发明专利]一种使用玻璃基板的系统级扇出型封装结构及其加工方法

说明书

本发明公开了一种使用玻璃基板的系统级扇出型封装结构及其加工方法，属于芯片封装技术领域。包括玻璃基板、再布线层、芯片和导电金属和若干环氧塑封层，玻璃基板置于底层，再布线层置于玻璃基板与环氧塑封层之间以及各层环氧塑封层之间，芯片焊接于再布线层上，若干导电金属堆叠置于再布线层上，环氧塑封层内芯片和导电金属之间填充有环氧塑封料。本发明能够解决引脚数目制约芯片封装的问题，导电金属封装的设计，使线路板制作效率大大提升，并且可以实现多层不同尺寸不同高度及不同性能芯片集成封装，具有良好的应用前景。

技术领域

本发明属于芯片封装技术领域，具体为一种使用玻璃基板的系统级扇出型封装结构及其加工方法。

背景技术

自摩尔定律提出以来，集成电路遵循着摩尔定律飞速发展，即当价格不变时，集成电路上可容纳的元器件的数目，约每隔18-24个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。然而随着集成电路的尺寸已经可以缩小到纳米级别，并逐渐接近其物理极限时，缩小特征尺寸的方法已经无法进一步提高集成电路的性能和功能。但是，微电子市场的需求仍在持续增长，从而集成电路的发展面临着一系列的问题与挑战。

新兴的扇出型封装结构可以解决上述问题。该项技术用晶圆凸点代替了引线键合，使用引线框代替了封装基板，大大减少了封装成本，提高了引脚数量，获得了更小的封装外形。扇入封装其所有的凸点都必须在芯片尺寸范围内，且凸点数目受制于芯片的大小。而扇出型封装尺寸不再依赖于芯片尺寸，而是可以制作成需要的大小，这意味着凸点数目不再受限，因引脚数目制约芯片封装的问题迎刃而解。

现有扇出型封装结构一般基板采用激光打孔后镀铜填孔的工艺，工艺流程复杂，制作效率低，且智能封装相同尺寸的芯片，如何提供一种使用玻璃基板的系统级扇出型封装结构及其加工方法是本领域技术人员亟需解决的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种使用玻璃基板的系统级扇出型封装结构及其加工方法。能够解决引脚数目制约芯片封装的问题，导电金属封装的设计，使线路板制作效率大大提升，并且可以实现多层不同尺寸不同高度及不同性能芯片集成封装，具有良好的应用前景。

为了实现上述目的，本发明采用如下技术方案：

一种使用玻璃基板的系统级扇出型封装结构，包括玻璃基板、再布线层、芯片、导电金属和各层环氧塑封层，所述玻璃基板置于底层，再布线层置于所述玻璃基板与环氧塑封层之间以及各层所述环氧塑封层之间，所述芯片焊接于所述再布线层上，若干所述导电金属堆叠置于所述再布线层上，所述环氧塑封层内所述芯片和所述导电金属之间填充有环氧塑封料。

进一步的，各层所述芯片布置时为交错布置。

进一步的，所述再布线层包括Ti-Cu层和镀铜层，所述镀铜层电镀在所述Ti-Cu层的表面。

进一步的，所述导电金属为铜柱、金柱、银柱或锡球，布置时高于所述芯片，所述铜柱采用堆叠或拉丝的方式制作。

进一步的，被封装的所述芯片由多种不同芯片组成，可以是射频芯片、记忆芯片和处理芯片，所述芯片的尺寸可以不同，所述芯片高度也可以不同。

进一步的，所述最外层导电金属露出位置焊有焊锡球。

一种使用玻璃基板的系统级扇出型封装结构的加工方法，包括：

设置玻璃基板作为底板；

在所述玻璃基板上表面预先布置所述再布线层；

在所述再布线层或所述芯片制作凸点，将所述芯片焊接在所述布线层上；

若干所述导电金属堆叠置于所述再布线层上，布置时高于所述芯片；

将所述玻璃基板放入一个框形容器中，使用环氧塑封料将所述芯片和所述导电金属完全包封，对包封面进行打磨，直至所有导电金属露出；