[发明专利]一种半导体封装工艺

说明书

本发明公开了一种半导体封装工艺，本发明涉及半导体封装技术领域。该半导体封装工艺，通过启动转动电机将支架转动，让转动电机以200‑300r/min的转速转动20‑30s，验证完成后把导线架经由传输设备送至弹匣内，以送至下一个制程进行焊线这样通过转动电机转动支架，可以让晶粒和Pad在L/F的内部没有固化的晶粒和Pad分开，使后续的制程不会出现晶粒和Pad脱离事故，通过将上模具移动到L/F的顶部，再将上模具底部的防溢罩缩回，并将上模具贴在L/F的顶部，上模具内部设置加热棒，加热棒保证在170‑190℃，并保温1‑2h，让上模具顶部的挤压杆向下移动，向下移动的压力为30‑50N，使封胶胶头内部的塑封液体挤入内腔的内部，把芯片覆盖，不需要回温，便将塑封块熔化。

技术领域

本发明涉及半导体封装技术领域，具体为一种半导体封装工艺。

背景技术

半导体封装是指将通过测试的晶圆按照产品型号及功能需求加工得到独立芯片的过程。封装过程为：来自晶圆前道工艺的晶圆通过划片工艺后被切割为小的晶片，然后将切割好的晶片用胶水贴装到相应的基板架的小岛上，再利用超细的金属（金锡铜铝）导线或者导电性树脂将晶片的接合焊盘连接到基板的相应引脚，并构成所要求的电路；然后再对独立的晶片用塑料外壳加以封装保护，塑封之后还要进行一系列操作，封装完成后进行成品测试，通常经过入检Incoming、测试Test和包装Packing等工序，最后入库出货。

目前半导体封装工艺，在使用时，大部分的半导体封装工艺在黏晶固化后没有验证工序，让后续的工序会出现晶粒和垫板脱离事故，再封胶步骤启动时，塑封块在使用时需要大量的时间回温，增加工作时间，降低工作效率，或者电镀步骤中的电镀将引脚的外部包裹隔绝膜，使引脚与外界电路板连接时出现接触不良现象，为此，本领域的技术人员提出了一种半导体封装工艺。

发明内容

（一）解决的技术问题

针对现有技术的不足，本发明提供了一种半导体封装工艺，解决了黏晶固化后没有验证工序，让后续的制程会出现晶粒和垫板脱离事故的问题。

（二）技术方案

为实现以上目的，本发明通过以下技术方案予以实现：一种半导体封装工艺：包括以下步骤：

S1、材料准备：把晶片的正面粘在蓝膜上，并将放晶片入研磨机上，打磨晶片背面，让晶片的厚度在8mils-10mils之间，晶片的原材料应放置在零下5℃的环境中，常温下需放置时，在需要使用前应放入零下5℃回温24h；

S2、晶片切割：将步骤S1加工完成的晶片，放入晶片切割机上，让切割刀片以切割速度：30-50Krpm将晶片切割成若干晶粒，进行晶片切割，首先进行晶圆黏片，然后再送至晶片切割机上进行切割，切割完后之晶粒井然有序排列于胶带上；

S3、黏晶过程：

A、将步骤S2中蓝膜上的晶粒，通过银浆导线架点在垫板上，并将晶粒和垫板放入固化箱的内部；

B、固化箱内部的温度应保证在170-180℃，并保温1-1.2h；

C、通入氮气固化环境；

S4、固化验证：将步骤S3中的导线架放在验证支架上，并启动转动电机，带动支架转动，让转动电机以200-300r/min的转速转动20-30s，验证完成后把导线架经由传输设备送至弹匣内，以送至下一个制程进行焊线；

S5、焊线：利用高纯度的金线把垫板和导线通过焊接的方法连接起来；