[发明专利]一种半导体封装工艺

权利要求书

1.一种半导体封装工艺，其特征在于：包括以下步骤：

S1、材料准备：把晶片的正面粘在蓝膜上，并将放晶片入研磨机上，打磨晶片背面，让晶片的厚度在8mils-10mils之间；

S2、晶片切割：将步骤S1加工完成的晶片，放入晶片切割机上，让切割刀片以切割速度：30-50Krpm将晶片切割成若干晶粒；

S3、黏晶过程：

将步骤S2中蓝膜上的晶粒，通过银浆点在导线架的垫板上，并将晶粒和垫板放入固化箱的内部；

固化箱内部的温度应保证在170-180℃，并保温1-1.2h；

通入氮气固化环境；

S4、固化验证：将步骤S3中的导线架放在验证支架上，并启动转动电机，带动支架转动，让转动电机以200-300r/min的转速转动20-30s；

S5、焊线：利用高纯度的金线把垫板和导线通过焊接的方法连接起来；

S6、封胶：将上模具移动到导线架的顶部，再将上模具底部的防溢罩缩回，并将上模具贴在导线架的顶部，启动上模具内部设置的加热棒，且加热棒应保证在170-190℃，并保温1-2h，让上模具顶部的挤压杆向下移动，向下移动的压力为30-50N，使封胶胶头内部的塑封液体挤入内腔的内部，把芯片覆盖；

S7、电镀：将完成构装的导线架放入弱酸的液体中，采用不小于99.95%的高纯的锡，并用无铅电镀，把晶须消除；

S8、抛光打磨：在把步骤S7中构装的导线架放在打磨架上打磨引脚的顶部和底部，使导线架的厚度为1-3mm；

S9、剪切/成形：将步骤S8中的构装导线架放在冲压机的固定模上，向下移动冲压机的冲模以改变引脚的形状，向下移动的压力为3000-4000N，并将构装外部的晶粒分开；

S10、成品检验：将步骤S9中的构装成品放在引线导通平台上，通过万能用表测定引脚之间的阻值。

2.根据权利要求1所述的一种半导体封装工艺，其特征在于：所述步骤S1中晶片的原材料应放置在零下5℃的环境中，常温下需放置时，在需要使用前应放入零下5℃回温24h。

3.根据权利要求1所述的一种半导体封装工艺，其特征在于：步骤S2进行晶片切割，首先进行晶圆黏片，然后再送至晶片切割机上进行切割，让切割完后的晶粒井然有序排列于胶带上。

4.根据权利要求1所述的一种半导体封装工艺，其特征在于：所述步骤S4验证完成后把导线架经由传输设备送至弹匣内，以送至下一个制程进行焊线。

5.根据权利要求1所述的一种半导体封装工艺，其特征在于：所述步骤S7让无铅电镀后的导线架在140-150℃高温下烘烤2h，消除电镀层潜在的晶须。

6.根据权利要求1所述的一种半导体封装工艺，其特征在于：所述步骤S6目的是为了制造出所生产电路的保护层，避免电路受到机械性刮伤或者高温破坏，最后整个集成电路的周围会向外拉出脚架，与外界电路板连接所用，以结构方式支撑导线，防止湿气由外部侵入。

7.根据权利要求1所述的一种半导体封装工艺，其特征在于：所述步骤S9中剪切的目的为将导线架上构装完成之晶粒独立分开，并把不需要的连接材料切除，成形的目的则是将外引脚压成各种预先设计好之形状，以便于装置于电路板上使用。

8.根据权利要求1所述的一种半导体封装工艺，其特征在于：在所述步骤S10中测量半导体的阻值时，观察外引脚之平整性、共面度、脚距及胶体是否有损伤以进行外观检验。