[发明专利]内衬装置及半导体加工设备

权利要求书

1.一种内衬装置，应用于半导体加工设备的工艺腔室中，其特征在于，所述内衬装置包括内衬组件和设置在所述内衬组件中的排气通道结构，所述排气通道结构的进气口与所述工艺腔室的内部连通；所述排气通道结构的出气口与所述工艺腔室的排气口连通，用以排出所述工艺腔室内部的气体；

所述内衬组件包括沿所述工艺腔室的径向由中心向边缘依次嵌套的第一金属衬环、绝缘衬环和第二金属衬环；其中，所述排气通道结构的进气口位于所述第一金属衬环的内周壁上；所述第一金属衬环的轴向长度被设置为能够覆盖所述绝缘衬环的内周壁位于指定高度位置以上的区域，以防止薄膜沉积在所述绝缘衬环的内周壁上。

2.根据权利要求1所述的内衬装置，其特征在于，在所述第一金属衬环的外周壁上设置有沿其周向间隔分布的多个定位凸部，且在所述绝缘衬环的上表面上设置有多个定位凹部，各个所述定位凸部一一对应地与各个所述定位凹部相配合，以限定所述第一金属衬环的位置。

3.根据权利要求2所述的内衬装置，其特征在于，每个所述定位凹部的底面均为与所述工艺腔室的径向呈夹角的第一斜面，且所述第一斜面的高度沿所述工艺腔室的径向由中心向边缘逐渐增大；每个所述定位凸部的下表面为第二斜面，所述第二斜面与对应的所述第一斜面接触配合，以使所述第一金属衬环与所述绝缘衬环同轴。

4.根据权利要求3所述的内衬装置，其特征在于，所述夹角的取值范围为大于等于20°，且小于等于30°。

5.根据权利要求3所述的内衬装置，其特征在于，所述第一斜面、所述第二斜面以及所述定位凹部和所述定位凸部彼此相对的侧面均为经抛光处理后的表面，用以减小所述定位凹部和所述定位凸部的摩擦系数。

6.根据权利要求1-5任意一项所述的内衬装置，其特征在于，在所述绝缘衬环的内周壁上还设置有环形凹槽，所述第一金属衬环位于所述环形凹槽中，且所述第一金属衬环的内周壁与所述绝缘衬环的内周壁相平齐；所述第一金属衬环的上表面与所述绝缘衬环的上表面相平齐。

7.根据权利要求1-5任意一项所述的内衬装置，其特征在于，所述排气通道结构包括多个第一排气孔、多个第二排气孔和排气通道，其中，

每个所述第一排气孔沿所述第一金属衬环的径向贯通设置在所述第一金属衬环中，且多个所述第一排气孔沿所述第一金属衬环的周向间隔分布；所述第一排气孔的位于所述第一金属衬环的内周壁上的一端用作所述排气通道结构的进气口；

每个所述第二排气孔沿所述绝缘衬环的径向贯通设置在所述绝缘衬环中，且多个所述第二排气孔与多个所述第一排气孔一一对应地设置；

所述排气通道设置在所述第二金属衬环中，且所述排气通道的进气端与各个所述第二排气孔相连通，所述排气通道的出气端用作所述排气通道结构的出气口与所述排气口相连通。

8.根据权利要求1-5任意一项所述的内衬装置，其特征在于，所述指定高度位置位于所述排气通道结构的进气口的最低高度位置以下的指定竖直距离处，所述指定竖直距离的取值范围为大于等于25mm，且小于等于35mm。

9.根据权利要求7所述的内衬装置，其特征在于，所述第一排气孔的直径大于所述第二排气孔的直径，以在所述第一金属衬环热膨胀时能够使所述第一排气孔与对应的所述第二排气孔保持连通。

10.根据权利要求9所述的内衬装置，其特征在于，所述第一排气孔的直径与所述第二排气孔的直径的差值为大于等于0.8mm，且小于等于1mm。

11.根据权利要求1-5任意一项所述的内衬装置，其特征在于，所述第一金属衬环的外周壁与所述绝缘衬环的内周壁之间具有径向间隙，用以为所述第一金属衬环的热膨胀预留空间。