[发明专利]发光器件及其制备方法

说明书

提供了一种发光器件以及制备发光器件的方法。该发光器件可以包括：半导体区域，包括第一半导体层、第二半导体层以及在第一半导体层与第二半导体层之间的活性层；第一保护层，在半导体区域的表面的至少一部分上且包括III‑V族化合物；以及第二保护层，在第一保护层上且包括金属氧化物。

本申请要求于2020年5月27日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0063889号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。

技术领域

本公开的一个或更多个实施例涉及一种发光器件、制备发光器件的方法、包括发光器件的墨组合物以及包括发光器件的设备。

背景技术

发光器件(LED)具有高的光转换效率，消耗相对非常少的能量，并且是半永久性的和生态友好的。为了将LED用作照明或显示装置，LED可以结合在能够将电力施加到LED的一对电极之间。将LED结合到电极的方法可以被分类为在一对电极上直接地生长LED的方法和在单独地生长LED之后布置LED的方法。在后一方法中，溶液工艺可以用作在电极上输入或布置LED的方法。例如，LED可以通过使用狭缝涂覆法和/或喷墨印刷法输入或布置在电极上。

当III-V族半导体纳米颗粒用作LED材料时，在半导体纳米颗粒的表面上形成绝缘膜时，在半导体化合物与绝缘膜之间的界面处会产生晶格缺陷，从而使LED的效率劣化。另外，由于通过使用原子层沉积(ALD)工艺涂覆绝缘膜，因此会重复地执行提供绝缘膜的前驱体材料且去除残留物的工艺，因此，薄膜的生长速率会慢，并且制造成本会增加。

发明内容

本公开的一个或更多个实施例包括一种具有减少的晶格缺陷和改善的效率的发光器件、制备发光器件的方法、包括发光器件的墨组合物以及包括发光器件的设备。

实施例的附加的方面将在下面的描述中部分地阐明，并且部分地将通过描述而清楚，或者可以通过公开的给出的实施例的实践来获知。

根据一个或更多个实施例，发光器件可以包括：

半导体区域，包括第一半导体层、第二半导体层以及位于第一半导体层与第二半导体层之间的活性层；

第一保护层，位于半导体区域的表面的至少一部分上且包括III-V族化合物；以及

第二保护层，位于第一保护层上且包括金属氧化物。

根据一个或更多个实施例，制备发光器件的方法可以包括以下步骤：其中，发光器件可以包括：半导体区域，包括第一半导体层、第二半导体层以及位于第一半导体层与第二半导体层之间的活性层；第一保护层，位于半导体区域的表面的至少一部分上；以及第二保护层，位于第一保护层上，

在半导体区域的表面的至少一部分上形成包括III-V族化合物的第一保护层；以及

在第一保护层上形成包括金属氧化物的第二保护层。

根据一个或更多个实施例，墨组合物可以包括发光器件。

根据一个或更多个实施例，设备可以包括发光器件。

附图说明

通过下面结合附图的描述，公开的某些实施例的以上和其他方面以及特征将更加清楚，其中，图1是根据实施例的发光器件的示意性剖视图。

具体实施方式

现在将更详细地参照实施例，实施例的示例在附图中示出，其中，同样的附图标记始终表示同样的元件。在这方面，本实施例可以具有不同的形式，并且不应被解释为限于在此所阐述的描述。因此，下面通过参照附图仅描述实施例，以解释本说明书的实施例的方面。如在此所使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和所有组合。在整个公开中，表述“a、b和c中的至少一个(种/者)”表示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c全部或它们的变型。