[发明专利]发光器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202110577079.4 | 申请日： | 2021-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN113745386A | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 高崙赫;李昌熙;郑然九;金德起;朴宗源;河在国 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/32;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩芳;杨永良 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种发光器件，所述发光器件包括：
半导体区域，包括第一半导体层、第二半导体层以及位于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的活性层；
第一保护层，位于所述半导体区域的表面的至少一部分上且包括III-V族化合物；以及
第二保护层，位于所述第一保护层上且包括金属氧化物。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述半导体区域包括具有化学式InxAlyGa1-x-yN的半导体化合物，其中，0≤x≤1，0≤y≤1，并且0≤x+y≤1。
3.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述活性层包括单量子阱结构或多量子阱结构。
4.根据权利要求1所述的发光器件，其中，包括在所述第一保护层中的所述III-V族化合物中的III族元素包括硼、铝、镓、铟或它们的任何组合，并且
包括在所述第一保护层中的所述III-V族化合物中的V族元素包括氮、磷、砷、锑或它们的任何组合。
5.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第二保护层是绝缘层。
6.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述金属氧化物包括Al2O3、ZrO2、SiO2、TiO2、ZnO或它们的任何组合。
7.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一保护层减少所述半导体区域与所述第二保护层之间的晶格缺陷。
8.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一保护层和所述第二保护层各自通过湿化学反应形成。
9.一种制备发光器件的方法，所述方法包括以下步骤：
在半导体区域的表面的至少一部分上形成包括III-V族化合物的第一保护层；以及
在所述第一保护层上形成包括金属氧化物的第二保护层，
其中，所述半导体区域包括第一半导体层、第二半导体层以及位于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的活性层。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，通过湿化学反应执行形成所述第一保护层的所述步骤。
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