[发明专利]一种堆叠半导体器件封装结构及其制备方法

权利要求书

1.一种堆叠半导体器件封装结构，其特征在于，包括：

基板；

层叠设置于所述基板上的n个芯片，第一个所述芯片与所述基板的距离最小，距离所述基板越近，所述芯片的尺寸越大；第k个所述芯片远离所述基板的表面以及靠近所述基板的表面均设置有连接部，第k个所述芯片通过靠近所述基板表面的连接部连接第k-1个所述芯片；其中，2≤k≤n，k和n均为正整数；

导电连接体，所述导电连接体设置所述基板上，并位于所述芯片的周围；

塑封体，所述塑封体塑封各所述芯片和所述导电连接体，并暴露出所述导电连接体和第n个所述芯片远离所述基板表面的连接部；

重布线层，连接暴露出的所述导电连接体和暴露出的所述连接部。

2.根据权利要求1所述的堆叠半导体器件封装结构，其特征在于，还包括保护层；

所述保护层设置在暴露出的所述导电连接体和暴露出的所述连接部上；

所述保护层覆盖所述导电连接体和所述芯片。

3.根据权利要求1所述的堆叠半导体器件封装结构，其特征在于，第k个所述芯片远离所述基板的表面的连接部与靠近所述基板的表面的连接部连接。

4.根据权利要求1所述的堆叠半导体器件封装结构，其特征在于，所述连接部包括锡球。

5.根据权利要求1所述的堆叠半导体器件封装结构，其特征在于，所述导电连接体垂直于所述基板与所述芯片连接的表面。

6.根据权利要求1所述的堆叠半导体器件封装结构，其特征在于，所述导电连接体的高度大于或等于所述芯片的高度之和。

7.根据权利要求1所述的堆叠半导体器件封装结构，其特征在于，所述导电连接体包括金属立柱或金属焊线。

8.一种堆叠半导体器件封装结构的制备方法，其特征在于，包括：

提供基板；

于所述基板上层叠设置n个芯片，第一个所述芯片与所述基板的距离最小，距离所述基板越近，所述芯片的尺寸越大；第k个所述芯片远离所述基板的表面以及靠近所述基板的表面均设置有连接部，第k个所述芯片通过靠近所述基板表面的连接部连接第k-1个所述芯片；其中，2≤k≤n，k和n均为正整数；

在所述基板上设置导电连接体，并且所述导电连接体位于所述芯片的周围；

在所述基板上形成塑封体，所述塑封体塑封各所述芯片和所述导电连接体，并暴露出所述导电连接体和第n个所述芯片远离所述基板表面的连接部；

在暴露出的所述导电连接体和暴露出的所述连接部上形成重布线层，所述重布线层连接暴露出的所述导电连接体和暴露出的所述连接部。

9.根据权利要求8所述的堆叠半导体器件封装结构的制备方法，其特征在于，还包括：

在暴露出的所述导电连接体和暴露出的所述连接部上形成保护层；

其中，所述保护层覆盖所述导电连接体和所述芯片。

10.根据权利要求8所述的堆叠半导体器件封装结构的制备方法，其特征在于，在提供基板之后，还包括：

将第k个所述芯片远离所述基板的表面的连接部与靠近所述基板的表面的连接部通过硅通孔技术连接。