[发明专利]多栅极器件及其形成方法

权利要求书

1.一种多栅极器件，包括：

第一多栅极器件，具有：

第一沟道层，设置在第一源极/漏极部件之间，和

第一金属栅极，围绕所述第一沟道层；

第二多栅极器件，具有：

第二沟道层，设置在第二源极/漏极部件之间，和

第二金属栅极，围绕所述第二沟道层；

介电栅极隔离鳍，设置在所述第一金属栅极和所述第二金属栅极之间并且将所述第一金属栅极和所述第二金属栅极分离，其中，所述介电栅极隔离鳍包括：

第一介电层，具有第一介电常数，和

第二介电层，具有第二介电常数并且设置在所述第一介电层上方。其中，所述第二介电常数大于所述第一介电常数；以及

其中，所述第一金属栅极设置在所述第一沟道层和所述介电栅极隔离鳍之间并且与所述第一沟道层和所述介电栅极隔离鳍物理接触，并且所述第二金属栅极设置在所述第二沟道层和所述介电栅极隔离鳍之间并且与所述第二沟道层和所述介电栅极隔离鳍物理接触。

2.根据权利要求1所述的多栅极器件，还包括，沿着所述第一金属栅极的第一侧壁和所述第二金属栅极的第二侧壁设置的栅极间隔件，其中：

所述第一多栅极器件包括设置在所述第一沟道层和所述介电栅极隔离鳍之间的所述栅极间隔件下方的第一内部间隔件以及设置在所述栅极间隔件下方的第一介电衬垫，其中每个所述第一介电衬垫均设置在所述第一沟道层和相应的一个所述第一内部间隔件之间并且与所述第一沟道层和相应的一个所述第一内部间隔件物理接触；以及

所述第二多栅极器件包括设置在所述第二沟道层和所述介电栅极隔离鳍之间的所述栅极间隔件下方的第二内部间隔件以及设置在所述栅极间隔件下方的第二介电衬垫，其中每个所述第二介电衬垫均设置在所述第二沟道层和相应的一个所述第二内部间隔件之间并且与所述第二沟道层和相应的一个所述第二内部间隔件物理接触。

3.根据权利要求2所述的多栅极器件，其中，所述介电栅极隔离鳍进一步设置在所述第一内部间隔件和所述第二内部间隔件之间，其中，所述第一内部间隔件和所述第二内部间隔件物理接触所述介电栅极隔离鳍。

4.根据权利要求2所述的多栅极器件，其中：

所述第一多栅极器件包括第三内部间隔件，所述第三内部间隔件设置在所述第一金属栅极与所述第一源极/漏极部件之间的所述栅极间隔件下方，其中，所述第三内部间隔件还设置在所述第一沟道层的设置在所述栅极间隔件下方的部分下方，并且每个所述第一介电衬垫还设置在相应的一个所述第三内部间隔件和相应的一个所述第一内部间隔件之间并且与相应的一个所述第三内部间隔件和相应的一个所述第一内部间隔件物理接触；以及

所述第二多栅极器件包括第四内部间隔件，所述第四内部间隔件设置在所述第二金属栅极与所述第二源极/漏极部件之间的所述栅极间隔件下方，其中，所述第四内部间隔件还设置在所述第二沟道层的设置在所述栅极间隔件下方的部分下方，并且每个所述第二介电衬垫还设置在相应的一个所述第四内部间隔件和相应的一个所述第二内部间隔件之间并且与相应的一个所述第四内部间隔件和相应的一个所述第二内部间隔件物理接触。

5.根据权利要求4所述的多栅极器件，其中，所述第一内部间隔件和所述第二内部间隔件具有第一厚度，所述第三内部间隔件和所述第四内部间隔件具有第二厚度，并且所述第二厚度与所述第一厚度基本相同。

6.根据权利要求4所述的多栅极器件，其中，所述第一内部间隔件和所述第二内部间隔件具有第一厚度，所述第三内部间隔件和所述第四内部间隔件具有第二厚度，并且所述第二厚度大于所述第一厚度。

7.根据权利要求1所述的多栅极器件，还包括至所述第一金属栅极和所述第二金属栅极的栅极接触件，其中，所述栅极接触件设置在所述介电栅极隔离鳍的顶面上方。

8.根据权利要求1所述的多栅极器件，其中，所述第一介电常数小于约7，并且所述第二介电常数大于约7。