[发明专利]存储器器件及其制造方法在审
申请号: | 202110476859.X | 申请日: | 2021-04-29 |
公开(公告)号: | CN113380850A | 公开(公告)日: | 2021-09-10 |
发明(设计)人: | 杨柏峰;王圣祯;杨世海;林佑明;马礼修;贾汉中 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/22 | 分类号: | H01L27/22;H01L27/24 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 器件 及其 制造 方法 | ||
在一些实施例中,本发明涉及存储器器件。在一些实施例中,存储器器件具有:衬底;以及下部互连金属线,设置在衬底上方。存储器器件也具有:选择器沟道,设置在下部互连金属线上方;以及选择器栅电极,包裹选择器沟道的侧壁并且通过选择器栅极电介质与选择器沟道分隔开。存储器器件也具有:存储器单元,设置在选择器沟道上方并且电连接至选择器沟道;以及上部互连金属线,设置在存储器单元上方。通过将选择器放置在后端互连结构内,可以节省前端间隔,并且提供更大的集成灵活性。本申请的实施例还涉及制造存储器器件的方法。
技术领域
本申请的实施例涉及存储器器件及其制造方法。
背景技术
许多现代电子器件包含配置为存储数据的电子存储器。电子存储器可以是易失性存储器或非易失性存储器。易失性存储器在通电时会存储数据,而非易失性存储器在断电时能够存储数据。电阻随机存取存储器是下一代非易失性存储器技术的有希望的候选者。这是因为电阻随机存取存储器器件提供许多优势,包括快速写入时间、高耐用性,低功耗以及对辐射损坏的低敏感性。
发明内容
本申请的一些实施例提供了一种存储器器件,包括:衬底;下部互连金属线,设置在所述衬底上方;选择器沟道,设置在所述下部互连金属线上方;选择器栅电极,包裹所述选择器沟道的侧壁并且通过选择器栅极电介质与所述选择器沟道分隔开;存储器单元,设置在所述选择器沟道上方并且电连接至所述选择器沟道;以及上部互连金属线,设置在所述存储器单元上方。
本申请的另一些实施例提供了一种存储器器件,包括:衬底;互连结构,设置在所述衬底上方,所述互连结构具有彼此堆叠的多个互连金属层并且包括多个下部互连金属线和多个上部互连金属线;多个选择器,设置在所述互连结构内和所述下部互连金属线上方,所述多个选择器布置为行和列的阵列;以及多个存储器单元,对应地以所述行和列的阵列设置在所述多个选择器的顶部上。
本申请的又一些实施例提供了一种制造存储器器件的方法,所述方法包括:在衬底上方形成下部互连金属层;在所述下部互连金属层上方形成多个选择器和多个存储器单元;以及在所述多个存储器单元上方形成上部互连金属层。
附图说明
当结合附图进行阅读时,从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该指出,根据工业中的标准实践,各个部件未按比例绘制。实际上,为了清楚的讨论,各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。
图1示出了包括后段制程(BEOL)选择器的存储器器件的一些实施例的截面图。
图2示出了包括BEOL选择器的存储器器件的一些额外的实施例的截面图。
图3示出了具有多个存储器单元的存储器阵列的部分的一些实施例的框图。
图4A示出了包括堆叠的存储器阵列的存储器器件的一些实施例的立体图。
图4B示出了沿行方向的图4A的存储器器件的一些实施例的截面图。
图4C示出了沿列方向的图4A的存储器器件的一些实施例的截面图。
图5A示出了包括堆叠的存储器阵列的存储器器件的一些额外的实施例的立体图。
图5B示出了沿行方向的图5A的存储器器件的一些实施例的截面图。
图5C示出了沿列方向的图5A的存储器器件的一些实施例的截面图。
图6至图7示出了示出对应的选择器的存储器阵列的一些实施例的顶视图。
图8A至图23C示出了形成包括BEOL选择器的存储器器件的方法的一些实施例的各个视图。
图24示出了形成包括BEOL选择器的存储器器件的方法的一些实施例的流程图。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的