[发明专利]存储器器件及其制造方法在审

专利信息
申请号: 202110476859.X 申请日: 2021-04-29
公开(公告)号: CN113380850A 公开(公告)日: 2021-09-10
发明(设计)人: 杨柏峰;王圣祯;杨世海;林佑明;马礼修;贾汉中 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L27/22 分类号: H01L27/22;H01L27/24
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;李伟
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 存储器 器件 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种存储器器件,包括:

衬底;

下部互连金属线,设置在所述衬底上方;

选择器沟道,设置在所述下部互连金属线上方;

选择器栅电极,包裹所述选择器沟道的侧壁并且通过选择器栅极电介质与所述选择器沟道分隔开;

存储器单元,设置在所述选择器沟道上方并且电连接至所述选择器沟道;以及

上部互连金属线,设置在所述存储器单元上方。

2.根据权利要求1所述的存储器器件,其中,所述存储器单元与所述选择器沟道直接接触。

3.根据权利要求1所述的存储器器件,其中,所述选择器沟道具有与所述存储器单元的侧壁对准的侧壁。

4.根据权利要求1所述的存储器器件,其中,所述选择器栅电极包括覆盖所述选择器栅极电介质的下部侧壁的金属层。

5.根据权利要求1所述的存储器器件,其中,所述选择器沟道包括氧化物半导体材料。

6.根据权利要求1所述的存储器器件,其中,从顶视图看,所述选择器沟道具有圆形或椭圆形的形状。

7.根据权利要求1所述的存储器器件,其中,所述存储器单元包括:

底部电极,设置在所述选择器沟道上方;

数据存储结构,设置在所述底部电极上方;以及

顶部电极,设置在所述数据存储结构上方。

8.根据权利要求1所述的存储器器件,其中,从顶视图看,所述选择器沟道具有正方形或矩形的形状。

9.一种存储器器件,包括:

衬底;

互连结构,设置在所述衬底上方,所述互连结构具有彼此堆叠的多个互连金属层并且包括多个下部互连金属线和多个上部互连金属线;

多个选择器,设置在所述互连结构内和所述下部互连金属线上方,所述多个选择器布置为行和列的阵列;以及

多个存储器单元,对应地以所述行和列的阵列设置在所述多个选择器的顶部上。

10.一种制造存储器器件的方法,所述方法包括:

在衬底上方形成下部互连金属层;

在所述下部互连金属层上方形成多个选择器和多个存储器单元;以及

在所述多个存储器单元上方形成上部互连金属层。

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