[发明专利]半导体元件的承载结构、形成方法、修补方法及显示面板

说明书

一种半导体元件的承载结构及形成方法、容置结构的修补方法，半导体元件的承载结构包括第一基板、第一电极、第二电极、第一孔洞、第三电极以及半导体元件。第一电极和第二电极设置于第一基板上，第一电极和第二电极相对设置。第一孔洞设置于第一电极和第二电极之间。第三电极设置于第一电极和第二电极上，第三电极为环状且具有第二孔洞，第二孔洞暴露第一孔洞。半导体元件设置于该第三电极上。

技术领域

本发明关于一种利用环状电极承载半导体元件的半导体元件的承载结构、显示面板、半导体元件的承载结构形成方法以及半导体元件的容置结构的修补方法。

背景技术

近来显示技术的进步突飞猛进，对显示器的画质要求也越来越高，而目前的显示器为以发光二极管(light-emitting diode,LED)显示器和有机发光二极管显示器(organic light-emitting diode,OLED)显示器为主，有机发光二极管显示器的像素虽高，但有机发光二极管的寿命不长；发光二极管显示器像素虽低于有机发光二极管显示器的像素，但发光二极管的寿命较高。因此，近来厂商想将发光二极管的尺寸缩小为微发光二极管(micro light-emitting diode,micro-LED)，并将微发光二极管应用于显示器，但是，由于微发光二极管的尺寸为微米等级，势必需要牺牲结构的辅助来进行巨量转移(masstransfer)，以将微发光二极管顺利地转移至显示器的电路板，但利用微发光二极管制造的显示器良率始终无法改善。

综观前所述，本发明的发明者思索并设计一种半导体元件的承载结构及其形成方法，以期针对现有技术的缺失加以改善，进而增进产业上的实施利用。

发明内容

基于上述目的，本发明提供一种半导体元件的承载结构及其形成方法，用以解决现有技术中所面临的问题。

基于上述目的，本发明提供一种半导体元件的承载结构，其包括第一基板、第一电极、第二电极、第一孔洞、第三电极以及半导体元件。第一电极和第二电极设置于第一基板上，第一电极和第二电极相对设置。第一孔洞设置于第一电极和第二电极之间。第三电极设置于第一电极和第二电极上，第三电极为环状且具有第二孔洞，第二孔洞暴露第一孔洞。半导体元件设置于第三电极上。

在本发明的实施例中，本发明进一步包括晶体管层，晶体管层设置于第一基板上，晶体管层包括第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管设置于第一基板和第一电极之间，第二晶体管设置于第一基板和第二电极之间。

在本发明的实施例中，第三电极具有第一导电区和第二导电区，第一导电区对应第一电极且部分覆盖第一电极，第二导电区对应第二电极且部分覆盖第二电极，第一导电区和第二导电区电性连接半导体元件。

在本发明的实施例中，第一电极和第二电极处于相同膜层。

在本发明的实施例中，半导体元件以第二孔洞为中心的旋转范围为-108度至108度。

在本发明的实施例中，第三电极的截面形状为圆形或多边形。

基于上述目的，本发明提供一种显示面板，其包括第一区以及第二区。第一区包括前述半导体元件的承载结构。第二区包括半导体元件的容置结构，半导体元件的容置结构包括第二基板、第四电极、第五电极、第三孔洞以及初始半导体元件。第四电极设置于第二基板上。第五电极设置于第二基板上，第四电极和第五电极相对设置。第三孔洞设置于第四电极和第五电极之间。初始半导体元件设置于第三孔洞。

在本发明的实施例中，半导体元件的容置结构包括第三晶体管以及第四晶体管，第三晶体管和第四晶体管设置于第二基板上，第三晶体管设置于第二基板和第四电极之间，第四晶体管设置于第二基板和第五电极之间。

在本发明的实施例中，其中第四电极和第五电极设置于相同膜层，第三晶体管和第四晶体管设置于相同膜层。