[发明专利]半导体元件的承载结构、形成方法、修补方法及显示面板

权利要求书

1.一种半导体元件的承载结构，其包括：

一第一基板；

一第一电极，设置于该第一基板上；

一第二电极，设置于该第一基板上，该第一电极和该第二电极相对设置；

一第一孔洞，设置于该第一电极和该第二电极之间；

一第三电极，设置于该第一电极和该第二电极上，该第三电极为环状且具有一第二孔洞，该第二孔洞暴露该第一孔洞；以及

一半导体元件，设置于该第三电极上。

2.如权利要求1所述的半导体元件的承载结构，进一步包括一晶体管层，设置于该第一基板上，该晶体管层包括一第一晶体管和一第二晶体管，该第一晶体管设置于该第一基板和该第一电极之间，该第二晶体管设置于该第一基板和该第二电极之间。

3.如权利要求1所述的半导体元件的承载结构，该第三电极具有一第一导电区和一第二导电区，该第一导电区对应该第一电极且部分覆盖该第一电极，该第二导电区对应该第二电极且部分覆盖该第二电极，该第一导电区和该第二导电区电性连接该半导体元件。

4.如权利要求1所述的半导体元件的承载结构，其中该第一电极和该第二电极设置于相同膜层。

5.如权利要求1所述的半导体元件的承载结构，其中该半导体元件以该第二孔洞为中心的旋转范围为-108度至108度。

6.如权利要求1所述的半导体元件的承载结构，其中该第三电极的截面形状为圆形或多边形。

7.一种显示面板，其包括：

一第一区，其包括如权利要求1至权利要求6所述的半导体元件的承载结构；以及

一第二区，其包括一半导体元件的容置结构，该半导体元件的容置结构包括：

一第二基板；

一第四电极，设置于该第二基板上；

一第五电极，设置于该第二基板上，该第四电极和该第五电极相对设置；

一第三孔洞，该第三孔洞设置于该第四电极和该第五电极之间；以及

一初始半导体元件，设置于该第三孔洞。

8.如权利要求7所述的显示面板，其中该半导体元件的容置结构包括一第三晶体管以及一第四晶体管，该第三晶体管和该第四晶体管设置于该第二基板上，该第三晶体管设置于该第二基板和该第四电极之间，该第四晶体管设置于该第二基板和该第五电极之间。

9.如权利要求8所述的显示面板，其中该第四电极和该第五电极设置于相同膜层，该第三晶体管和该第四晶体管设置于相同膜层。

10.一种半导体元件的承载结构的形成方法，其包括：

分别形成一第一电极和一第二电极于一基板上，该第一电极和该第二电极相对设置，该第一电极和该第二电极之间具有一第一孔洞；

形成一第三电极于该第一电极和该第二电极上，该第三电极为环状且具有一第二孔洞，该第二孔洞暴露该第一孔洞；以及

粘着一半导体元件于该第三电极上。

11.如权利要求10所述的半导体元件的承载结构的形成方法，于分别形成该第一电极和该第二电极的步骤前，形成一晶体管层于该基板上，该晶体管层包括一第一晶体管、一第二晶体管，该第一晶体管设置于该基板和该第一电极之间，该第二晶体管设置于该基板和该第二电极之间。

12.如权利要求10所述的半导体元件的承载结构的形成方法，于粘着该半导体元件后，切割该第三电极而使其分为一第一导电区和一第二导电区，该第一导电区对应该第一电极且部分覆盖该第一电极，该第二导电区对应该第二电极且部分覆盖该第二电极。

13.如权利要求10所述的半导体元件的承载结构的形成方法，其中该第一电极和该第二电极处于相同膜层。