[发明专利]半导体结构

说明书

本公开提出一种半导体结构及其形成方法。半导体结构可包括基板、位于基板上方的鳍片结构、位于鳍片结构上方的栅极结构、形成于鳍片结构中并邻近于栅极结构的第一内间隔层、以及延伸穿过第一内间隔层的第二内间隔层。

技术领域

本发明实施例涉及一种半导体装置及其形成方法，尤其涉及一种具有间隔物结构的半导体装置及其形成方法。

背景技术

半导体技术的进步增加了对具有更高存储容量、更快的处理系统、更高性能及更低成本的半导体装置的需求。为了满足这些需求，半导体工业持续微缩化例如纳米片(nano-sheet)FETs的半导体装置的尺寸。如此微缩化增加了半导体制造工艺的复杂性。

发明内容

本发明的目的在于提出一种半导体结构，以解决上述至少一个问题。

本发明实施例提供一种半导体结构，包括：基板；鳍片结构，位于基板上方；栅极结构，位于鳍片结构上方；第一内间隔层，形成于鳍片结构中并邻近于栅极结构；及第二内间隔层，延伸穿过第一内间隔层。

本发明实施例提供一种半导体结构，包括：基板；鳍片结构，位于基板上方；栅极结构，形成于鳍片结构中；源极/漏极(source/drain,S/D)区，形成于鳍片结构中并与栅极结构分离；第一内间隔层，形成于鳍片结构中并邻近于栅极结构；及第二内间隔层，从栅极结构延伸至S/D区，其中第一内间隔层位于第二内间隔层的侧面上方。

本发明实施例提供一种半导体结构的形成方法，包括：形成鳍片结构于基板上方；形成第一凹陷结构于鳍片结构中，以露出鳍片结构的侧面；形成第一内间隔层，突出至鳍片结构的侧面中；形成第二凹陷结构于鳍片结构中，以露出第一内间隔层的另一侧面；及形成第二内间隔层于另一侧面上方。

附图说明

本公开的各面向从以下详细描述中配合附图可最好地被理解。

图1A为根据一些实施例，示出半导体装置的等角视图。

图1B及图1C为根据一些实施例，示出半导体装置的剖面图。

图2为根据一些实施例，示出用于制造半导体装置的方法的流程图。

图3为根据一些实施例，示出半导体装置在其制造工艺的阶段的等角视图。

图4A至图11A及图4B至图11B为根据一些实施例，示出半导体装置在其制造工艺的各个阶段的剖面图。

图12为根据一些实施例，示出半导体装置制造设备平面图。

图13为根据一些实施例，示出半导体装置制造设备的平台的各种操作位置。

现在将参考附图描述说明性实施例。在附图中，相似的参考数值通常表示相同、功能相似及/或结构相似的元件。

附图标记如下：

100：半导体装置

101：FET

102：基板

104：栅极间隔物

104F：正面

106：第三内间隔物

108：鳍片结构

110：栅极结构

112：介电层

114：栅极电极

120：缓冲区

122：通道区

124：S/D区

130：层间介电层