[发明专利]MicroLED显示面板及其形成方法有效
申请号: | 202110442061.3 | 申请日: | 2021-04-23 |
公开(公告)号: | CN113517265B | 公开(公告)日: | 2023-06-02 |
发明(设计)人: | 范纯圣;范世伦 | 申请(专利权)人: | 豪威半导体(上海)有限责任公司 |
主分类号: | H01L25/075 | 分类号: | H01L25/075;H01L27/15;H01L33/48;H01L33/58 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 周耀君 |
地址: | 201611 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | microled 显示 面板 及其 形成 方法 | ||
1.一种MicroLED显示面板,其特征在于,包括:驱动晶圆、MicroLED芯片单元和微透镜阵列;
所述驱动晶圆与所述MicroLED芯片单元键合;
所述微透镜阵列包括阵列分布的微透镜,所述微透镜呈半球形,且其球形表面一侧面向所述MicroLED芯片单元;
所述MicroLED芯片单元包括阵列分布的芯片粒,所述MicroLED芯片单元中的各芯片粒发出的光束直接照射至所述微透镜的球形表面折射后汇聚;所述MicroLED芯片单元与所述微透镜阵列之间形成有光学胶层;所述微透镜阵列的折射率大于所述光学胶层的折射率。
2.如权利要求1所述的MicroLED显示面板,其特征在于,所述驱动晶圆包括驱动电极;
所述MicroLED芯片单元包括阵列分布的芯片粒,每个所述芯片粒上分布有相互分离的共享电极和芯片电极,每个所述芯片粒上的所述共享电极电连接。
3.如权利要求2所述的MicroLED显示面板,其特征在于,所述共享电极和所述芯片电极分别与所述驱动电极通过键合接触或第一导电胶实现电连接。
4.如权利要求2所述的MicroLED显示面板,其特征在于,所述驱动电极位于所述驱动晶圆靠近所述MicroLED芯片单元的一侧表面,所述驱动电极包括若干分别与所述芯片电极对应电连接的第一电极。
5.如权利要求4所述的MicroLED显示面板,其特征在于,所述驱动电极包括第二电极,所述第二电极与其中一个所述共享电极电连接,且其位于其中一个所述共享电极的下方。
6.如权利要求4所述的MicroLED显示面板,其特征在于,所述驱动电极包括第三电极,所述第三电极与其中一个所述共享电极电连接,且其位于所述MicroLED芯片单元在所述驱动晶圆上的投影以外的区域。
7.如权利要求1-6任意一项所述的MicroLED显示面板,其特征在于,所述光学胶层的折射率范围为1.10~1.25。
8.如权利要求2-6任意一项所述的MicroLED显示面板,其特征在于,所述MicroLED芯片单元还包括:光学膜层和位于所述光学膜层上的衬底,所述阵列分布的芯片粒形成于所述衬底上;其中,所述光学膜层的折射率范围为1.35~1.55。
9.如权利要求2-6任意一项所述的MicroLED显示面板,其特征在于,一个所述芯片粒至少对应一个所述微透镜,且每个所述芯片粒对应的所述微透镜的周圈套设有准直管;其中,所述准直管的材质包括钨、铝、白色光阻剂或黑色光阻剂中的任意一种。
10.如权利要求1-6任意一项所述的MicroLED显示面板,其特征在于,所述微透镜的折射率范围为1.80~2.00;所述微透镜阵列远离所述MicroLED芯片单元的一侧形成有基板和/或抗反射膜层,所述基板的折射率范围为1.80~2.00,所述基板的厚度范围为150μm~700μm。
11.一种权利要求1-10任一项所述的MicroLED显示面板的形成方法,其特征在于,包括:
提供微透镜阵列,所述微透镜阵列包括阵列分布的微透镜,且所述微透镜呈半球形;
在所述微透镜阵列上方形成MicroLED芯片单元,所述微透镜的球形表面一侧面向所述MicroLED芯片单元;所述MicroLED芯片单元包括阵列分布的芯片粒,所述MicroLED芯片单元中的各芯片粒发出的光束直接照射至所述微透镜的球形表面折射后汇聚;所述MicroLED芯片单元与所述微透镜阵列之间形成有光学胶层;所述微透镜阵列的折射率大于所述光学胶层的折射率;
提供驱动晶圆,将所述MicroLED芯片单元与所述驱动晶圆进行键合。
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