[发明专利]存储器装置及其制造方法

说明书

本公开涉及一种存储器装置及其制造方法。阐述了一种存储器装置和相应的制造方法，其中该存储器装置包括：外围电路层，该外围电路层包括多个导电焊盘；接合结构，该接合结构设置在外围电路层上；单元层叠结构，该单元层叠结构设置在接合结构上，该单元层叠结构包括多个栅极导电图案；以及多个垂直栅极接触结构，该多个垂直栅极接触结构在穿透接合结构的情况下分别连接多个导电焊盘和多个栅极导电图案，其中，多个栅极导电图案中的每一个包括从单元区水平延伸到接触区的第一水平部分和第二水平部分以及连接到第一水平部分的一端和第二水平部分的一端的第三水平部分，第三水平部分连接到多个栅极接触结构中对应的栅极接触结构。

技术领域

本公开总体上涉及一种存储器装置及其制造方法，更具体地，涉及一种三维存储器装置及其制造方法。

背景技术

存储器装置可以包括存储器单元阵列和连接到存储器单元阵列的外围电路。存储器单元阵列可以包括能够存储数据的多个存储器单元，并且外围电路可以被配置为执行诸如编程操作、读取操作或擦除操作的一般操作。

为了提高存储器装置的集成度，存储器单元阵列可以包括三维地布置在外围电路上方的存储器单元。

发明内容

实施方式提供了一种能够提高操作可靠性的存储器装置和该存储器装置的制造方法。

根据本公开的一个方面，一种存储器装置可以包括：第一栅极导电图案，该第一栅极导电图案被设置成在单元区和接触区上水平延伸，该第一栅极导电图案包括彼此平行地延伸到接触区的第一水平部分和第二水平部分以及连接到第一水平部分的一个端部和第二水平部分的一个端部的第三水平部分；第一绝缘图案，该第一绝缘图案设置在第一栅极导电图案的第一水平部分和第二水平部分之间；第二栅极导电图案，该第二栅极导电图案在第一栅极导电图案下方平行于第一栅极导电图案设置，该第二栅极导电图案包括彼此平行地延伸到接触区的第四水平部分和第五水平部分以及连接到第四水平部分的一个端部和第五水平部分的一个端部的第六水平部分；第一栅极接触结构，该第一栅极接触结构在接触区上垂直延伸，该第一栅极接触结构在穿透第一栅极导电图案的第三水平部分的情况下与第一栅极导电图案接触；以及第二栅极接触结构，该第二栅极接触结构在接触区上垂直延伸，该第二栅极接触结构在穿透第一绝缘图案并且穿透第二栅极导电图案的第六水平部分的情况下与第二栅极导电图案接触。

根据本公开的另一方面，一种存储器装置可以包括：外围电路层，该外围电路层包括多个导电焊盘；接合结构，该接合结构设置在外围电路层上；单元层叠结构，该单元层叠结构设置在接合结构上，该单元层叠结构包括多个栅极导电图案；以及多个栅极接触结构，该多个栅极接触结构在穿透接合结构的情况下分别连接所述多个导电焊盘和所述多个栅极导电图案，其中，多个栅极导电图案中的每一个包括从单元区水平延伸到接触区的第一水平部分和第二水平部分以及连接到第一水平部分的一端和第二水平部分的一端的第三水平部分，第三水平部分连接到多个栅极接触结构中对应的栅极接触结构。

根据本公开的又一方面，一种制造存储器装置的方法可以包括以下步骤：通过在包括单元区和接触区的牺牲基板上形成阶梯结构来形成单元层叠结构，阶梯结构包括被层叠成在围绕沟道结构的情况下彼此隔开的层间绝缘层以及在层间绝缘层之间围绕沟道结构的牺牲层；通过蚀刻牺牲层的侧壁以使得层间绝缘层比牺牲层突出得更远而在层间绝缘层的侧壁中形成间隙；通过在包括阶梯结构的整个结构上形成间隙填充绝缘层而在每一个牺牲层的侧壁中形成在第一方向上延伸的第一隧道；通过执行在垂直于第一方向的第二方向上蚀刻间隙填充绝缘层和阶梯结构的狭缝工艺来暴露牺牲层的侧壁和第一隧道；通过选择性地去除单元区的牺牲层并且将接触区的牺牲层的侧壁蚀刻至预定深度来形成第二隧道，其中，第二隧道分别连接到第一隧道的两个端部并且在第二方向上延伸；以及通过用导电材料填充去除了单元区上的牺牲层的区域以及接触区上的第一隧道和第二隧道的内部来形成栅极导电图案。

附图说明