[发明专利]存储器装置及其制造方法

权利要求书

1.一种存储器装置，该存储器装置包括：

第一栅极导电图案，所述第一栅极导电图案被设置成在单元区和接触区上水平延伸，所述第一栅极导电图案包括彼此平行地延伸到所述接触区的第一水平部分和第二水平部分以及连接到所述第一水平部分的一个端部和所述第二水平部分的一个端部的第三水平部分；

第一绝缘图案，所述第一绝缘图案设置在所述第一栅极导电图案的所述第一水平部分和所述第二水平部分之间；

第二栅极导电图案，所述第二栅极导电图案在所述第一栅极导电图案下方平行于所述第一栅极导电图案设置，所述第二栅极导电图案包括彼此平行地延伸到所述接触区的第四水平部分和第五水平部分以及连接到所述第四水平部分的一个端部和所述第五水平部分的一个端部的第六水平部分；

第一栅极接触结构，所述第一栅极接触结构在所述接触区上垂直延伸，所述第一栅极接触结构在穿透所述第一栅极导电图案的所述第三水平部分的情况下与所述第一栅极导电图案接触；以及

第二栅极接触结构，所述第二栅极接触结构在所述接触区上垂直延伸，所述第二栅极接触结构在穿透所述第一绝缘图案并且穿透所述第二栅极导电图案的所述第六水平部分的情况下与所述第二栅极导电图案接触。

2.根据权利要求1所述的存储器装置，该存储器装置还包括设置在所述第二栅极导电图案的所述第四水平部分和所述第五水平部分之间的第二绝缘图案。

3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述第二栅极导电图案的延伸到所述接触区的长度短于所述第一栅极导电图案的延伸到所述接触区的长度。

4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述第一栅极接触结构被设置成在所述第二栅极导电图案的外部区域中垂直延伸。

5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述第一栅极接触结构与所述第三水平部分电接触。

6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述第二栅极接触结构与所述第六水平部分电接触和物理接触，并且通过所述第一绝缘图案与所述第一栅极导电图案电分隔和物理分隔。

7.根据权利要求1所述的存储器装置，该存储器装置还包括形成在所述第一栅极导电图案和所述第二栅极导电图案之间的层间绝缘层。

8.一种存储器装置，该存储器装置包括：

外围电路层，所述外围电路层包括多个导电焊盘；

接合结构，所述接合结构设置在所述外围电路层上；

单元层叠结构，所述单元层叠结构设置在所述接合结构上，所述单元层叠结构包括多个栅极导电图案；以及

多个栅极接触结构，所述多个栅极接触结构在穿透所述接合结构的情况下分别连接所述多个导电焊盘和所述多个栅极导电图案，

其中，所述多个栅极导电图案中的每一个包括从单元区水平延伸到接触区的第一水平部分和第二水平部分以及连接到所述第一水平部分的一端和所述第二水平部分的一端的第三水平部分，所述第三水平部分连接到所述多个栅极接触结构当中的对应的栅极接触结构。

9.根据权利要求8所述的存储器装置，其中，所述多个栅极导电图案被布置成顺序地层叠，并且随着所述栅极导电图案的顺序层叠在垂直方向上增加，所述第一水平部分和所述第二水平部分的长度变长。

10.根据权利要求9所述的存储器装置，该存储器装置还包括形成在所述多个栅极导电图案之间的层间绝缘层。

11.根据权利要求9所述的存储器装置，其中，所述单元层叠结构还包括设置在所述第一水平部分和所述第二水平部分之间的绝缘图案。

12.根据权利要求11所述的存储器装置，其中，所述多个栅极接触结构中的每一个穿透在所述多个栅极导电图案当中的设置在对应的栅极导电图案上方的至少一个栅极导电图案的所述第一水平部分和所述第二水平部分之间设置的所述绝缘图案。